SMD 2016产品详细参数:
频率范围:20 ~ 54 MHz
频率公差(25℃):± 10ppm± 30 ppm, or specify
在工作温度范围内的频率稳定度:± 10ppm± 30 ppm, or specify
工作温度范围:- 20 ~ +70 oC, or specify
并联电容(C0):
驱动级:1~200μW (100 μW typical)
负载电容:Series, 9 pF, 10 pF, 12 pF, 15 pF, or specif
老化(25℃):± 3 ppm / year Max.
储存温度范围:- 40 ~ + 85 oC
晶体压控振荡器:
晶振发展趋势:
1.小型化、薄片化和片式化:为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求,石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如TCXO这类器件的体积缩小了30~100倍。采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm,目前5×3mm尺寸的器件已经上市。
2.高精度与高稳定度,无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm,VCXO的频率稳定度在10~7℃范围内一般可达±20~100ppm,而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±0.0001~5ppm,VCXO控制在±25ppm以下。
3.低噪声,高频化,在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的,相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。OCXO主流产品的相位噪声性能有很大改善。除VCXO外,其它类型的晶体振荡器输出频率不超过200MHz.例如用于GSM等移动电话的UCV4系列压控振荡器,其频率为650~1700MHz,电源电压2.2~3.3V,工作电流8~10mA.
4.低功能,快速启动,低电压工作,低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V.许多TCXO和VCXO产品,电流损耗不超过2mA.石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。例如日本精工生产的VG-2320SC型VCXO,在±0.1ppm规定值范围条件下,频率稳定时间小于4ms.日本东京陶瓷公司生产的SMDTCXO,在振荡启动4ms后则可达到额定值的90%.OAK公司的10~25MHz的OCXO产品,在预热5分钟后,则能达到±0.01ppm的稳定度。
SMD 2016产品详细参数: 频率范围:20 ~ 54 MHz 频率公差(25℃):± 10ppm± 30 ppm, or specify 在工作温度范围内的频率稳定度:± 10ppm± 30 ppm, or specify 工作温度范围:- 20 ~ +70 oC, or specify 并联电容(C0): 驱动级:1~200μW (100 μW typical) 负载电容:Series, 9 pF, 10 pF, 12 pF, 15 pF, or specif 老化(25℃):± 3 ppm / year Max. 储存温度范围:- 40 ~ + 85 oC 晶振有着不同使用要求及特点,通分为以下几类:普通晶振、温补晶振、压控晶振、温控晶振等。在测试和使用时所供直流电源应没有足以影响其准确度的纹波含量,交流电压应无瞬变过程。测试仪器应有足够的精度,连线合理布置,将测试及外围电路对晶振指标的影响降至。 晶体压控振荡器: 在用石英晶体稳频的振荡器中,把变容二极管和石英晶体相串接,就可形成晶体压控振荡器。为了扩大调频范围,石英晶体可用AT切割和取用其基频率的石英晶体,在电路上还可采用展宽调频范围的变换网络。 在微波频段,用反射极电压控制频率的反射速调管振荡器和用阳极电压控制频率的磁控管振荡器等也都属于压控...
产品详细参数: 加工定制: 是 品牌: GZX 型号: 3X8 种类: 晶振 标称频率: 18.9375(MHz) 调整频差: 10PPM(MHz) 温度频差: 20ppm(MHz) 总频差: 20ppm(MHz) 负载电容: 20(pF) 负载谐振电阻: 40(Ω) 激励电平: 0.001(mW) 基准温度: 25(℃) 晶振有着不同使用要求及特点,通分为以下几类:普通晶振、温补晶振、压控晶振、温控晶振等。在测试和使用时所供直流电源应没有足以影响其准确度的纹波含量,交流电压应无瞬变过程。测试仪器应有足够的精度,连线合理布置,将测试及外围电路对晶振指标的影响降至。