无锡华晶mos管CS4N60A3HD原厂直销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CS4N60A3HD | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | 华晶 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
注1:此处是「华晶」品牌直销，请认准网页的企业实名认证或查看公司诚信档案。
注2:此处所示单价均为网站建设需要，且单价随行就市,故不作为成交的依据。
注3如需产品资料,样品及报价，可以来电13812020156或QQ471321801咨询。
华晶mos管CS1N60A3H，主要应用于LED驱动电源，充电器，电源逆变器，LED灯等，主要的客户有：浙江阳光、德国欧司朗、飞利浦、雷士、三雄、镇江强凌、厦门东林、西普尔、纽福克斯等。也可以联系我qq：471321801，邮箱：youngzorro@hotmail.com
VDSS 600 V
ID 4 A
PD(TC=25℃) 55 W
RDS(ON) 1.9 ?
Symbol Parameter Rating Units
VDSS Drain-to-Source Voltage 600 V
Continuous Drain Current 4 A
ID
Continuous Drain Current TC = 100 °C 2.9 A
IDM
a1
Pulsed Drain Current 16 A
VGS Gate-to-Source Voltage ±30 V
EAS
a2
Single Pulse Avalanche Energy 300 mJ
EAR
a1
Avalanche Energy ,Repetitive 30 mJ
IAR
a1
Avalanche Current 7.7 A
dv/dt
a3
Peak Diode Recovery dv/dt 4.5 V/ns
Power Dissipation 75 W
PD
Derating Factor above 25°C 0.60 W/℃
VESD(G-S) Gate source ESD (HBM-C= 100pF, R=1.5k?) 3000 V
TJ，Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range 150，–55 to 150 ℃
TL MaximumTemperature for Soldering 300 ℃
- 所属城市：江苏 无锡
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨炜伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
