价 格: | 面议 | |
批号: | 11+ | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
类型: | 其他IC | |
型号/规格: | OB2269 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
品牌/商标: | OB | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
封装: | SOP-8 |
高性能电流模式PWM控制器OB2269 PWM控制芯片系列集成了诸多保护功能,并融合了多项昂宝专利技术,高性能电流模式PWM控制器OB2269使得系统设计能以较低的成本满足各项国际能源标准,是中高功率电源领域的选择。
特点:dzsc/19/2410/19241079.jpg
DescriptionThe NCE6020I uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. Itcan be used in a wide variety of applications.Genera Features● V =60V,I =20A DS D RDS(ON) <44m? @ VGS=10V ● High density cell design for ultra low Rdson● Fully characterized avalanche voltage and current● Good stability and uniformity with high EAS● Excellent package for good heat dissipation● Special process technology for high ESD capabilityApplication● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits● Uninterruptible power supply dzsc/19/2434/19243424.jpg无锡新洁能功率半导体有限公司是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业,是中国家研发成功并上量销售大功率-超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,紧密结合自身器件与工艺设计技术的优势,与国际一流的芯片代工厂、封装、测试代工厂保持密切配合...
1、超结工艺之MOSFET,耐压达到650V以上,ID=8A,内阻远远低于市场上平面工艺之MOSFET,540毫欧(平面工艺为1.2欧姆)。 2, 8安培,600V或650V高压MOS管,酷MOS供应。超薄适配器,高效LED灯电源之热门。 3、在25W电源上应用,直接替代普通7N60,MOSFET发热量降低30摄氏度以上,效率提升1%! 4、省去普通MOSFET加散热片的麻烦!生产效率提高! 无锡新洁能功率半导体有限公司是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业,是中国家研发成功并上量销售大功率-超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,紧密结合自身器件与工艺设计技术的优势,与国际一流的芯片代工厂、封装、测试代工厂保持密切配合与合作,严谨产品质量控制,保证产品的持续优质和稳定供货。General DescriptionThe series of devices use advanced super junctiontechnology and design to provide excellent RDS(ON) with lowgate charge. This super junction MOSFET fits the industry’sAC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC powerconversion, and industrial power applications.Features●New technology for high voltage device●Low on-resistance and low conduction losses●small pac...