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酷MOS管 NCE(新洁能)NCE60R540K 贴片(完美替代英飞凌(7N60)

价 格: 面议
封装外形:SMD(SO)/表面封装
型号/规格:NCE60R540K
材料:GE-N-FET锗N沟道
用途:L/功率放大
品牌/商标:NCE
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型

1、超结工艺之MOSFET,耐压达到650V以上,ID=8A,内阻远远低于市场上平面工艺之MOSFET,540毫欧(平面工艺为1.2欧姆)。

 

2,  8安培,600V或650V高压MOS管,酷MOS供应。超薄适配器,高效LED灯电源之热门。

 

3、在25W电源上应用,直接替代普通7N60,MOSFET发热量降低30摄氏度以上,效率提升1%!

 

4、省去普通MOSFET加散热片的麻烦!生产效率提高!

 

无锡新洁能功率半导体有限公司是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业,是中国家研发成功并上量销售大功率-超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,紧密结合自身器件与工艺设计技术的优势,与国际一流的芯片代工厂、封装、测试代工厂保持密切配合与合作,严谨产品质量控制,保证产品的持续优质和稳定供货。


General Description
The series of devices use advanced super junction
technology and design to provide excellent RDS(ON) with low
gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s
AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power
conversion, and industrial power applications.
Features
●New technology for high voltage device
●Low on-resistance and low conduction losses
●small package
●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements
●100% Avalanche Tested
Application
● Power factor correction(PFC)
● Switched mode power supplies(SMPS)
● Uninterruptible Power Supply(UPS)

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dzsc/19/2434/19243425.jpg无锡新洁能功率半导体有限公司是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业,是中国家研发成功并上量销售大功率-超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,紧密结合自身器件与工艺设计技术的优势,与国际一流的芯片代工厂、封装、测试代工厂保持密切配合与合作,严谨产品质量控制,保证产品的持续优质和稳定供货。

 

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深圳市粤嘉鸿电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 宋哲
  • 电话:755-29743120
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信息内容:

FeaturesPrecision fixed operating frequency (100/67/50kHz)Low start-up current (typ. 100µA)Pulse by pulse current limitingOver current protectionOver voltage protecton (Min. 25V)Internal thermal shutdown functionUnder voltage lockoutInternal high voltage sense FETAuto-restart mode粤嘉鸿电子是从事电子元器件通路的一般纳税人企业。有多年的电源IC、MOSFET、三极管和肖特基的供应经验,是UTC(台湾友顺)、NCE(新洁能)、赛威和芯龙的一线授权代理商。我们经营的产品广泛应用于开关电源、各类板卡、LED照明驱动电源、车载逆变电源、液晶电视电源、DVD和DVB电源、通信逆变电源、电动工具电源、移动电源、车充、旅行充电器和应急灯电源等诸多领域。    公司愿景:成为亚洲一流的电子元器件供应商。    公司理念和价值观:“诚信、、用心、高效”。    经营方针:只卖优质产品、常用物料备现货、保持价格优势、持续改善产品供应。    选择我们的六个理由:1、我们完全没有假货、劣质产品供应;2、我们供货稳定、及时,避免断货造成停工待料的损失;3、我们人员流动率极低,避免新老交替的麻烦;4、拥有香港公司和货仓,合...

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超结工艺MOSFET(英飞凌叫酷MOS)之NCE05N65 完美替代7N60/8N60

信息内容:

1,该产品为Super Junction(超结)工艺MOSFET,普通5N60的典型RDS(ON)约2欧姆,7N60或者8N60约1.5欧姆,而此产品RDS(ON)值才0.9欧姆哟! 2,此产品采用不同材料和工艺,有更好的频率响应和开关特性,使开关损耗更小! 3, 25W左右的LED电源,用TO252贴片封装即可,完美替代普通7N或者8N的TO220F塑封插件应用。好处是:a,减少插件和整形的人工,极大的提高生产效率!b,MOS管工作温度降低约30度,效率提升约1%,使led电源温度下降,延长灯具寿命。c,更加美观,有科技感! dzsc/19/2452/19245211.jpgdzsc/19/2452/19245211.jpgdzsc/19/2452/19245211.jpg

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