贴片二三极管
深圳市秉诚科技有限公司经销贴片二三极管,质优价廉,现货优势!!
品牌:长电/CJ、NXP(PHILIPS)、ST、罗姆/ROHM 、桂微、科威/KW等
二极管:SOD-123/323/523/723封装系列优势型号:1N4148W 1N4448W B5819W(SL) 1SS355 SD103AW(S4) RB520S-30 RB520G-30等
SOT-23/323/523/363封装系列优势型号:BAT54 BAT54C/S/A BAV99(A7) BAW56(A1) BAV70(A4) RB491D(D2E) 1SS181/184/187/190/193/196/226等
三极管:SOT-23/323/523/363封装系列优势型号:S8050(J3Y)/8550(2TY) SS8050(Y1)/8550(Y2) S9013/9014/9015 PMBT3904/3906 PMBT2222/2907 PMBT5401/5551 2SA812(M6) 2SC1623(L6)等
SOT-89封装系列优势型号: B772 D882 2SB1132 A42 A92等
型号齐全,质量保证,现货优势!秉诚科技欢迎您的咨询选购!!
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BFQ591 BFQ591硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF,UHF,CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片原产于philips公司,现在国内也有公司生产。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的军用微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上,为民用市场研制开发了系列高频微波三极管,包括2SC3356,2SC3357,BFQ591,2SC4226,BFR540,BFR520等,其性能指标同NEC、philips同类产品相同。BFQ591参数类别:NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电极-发射极电压VCEO:15V集电极-基极电压VCBO:20V 发射极-基极电压VEBO:3.0V集电极直流电流IC:200mA 总耗散功率(TA=25℃)Ptot:2.25W工作结温Tj:150℃ 贮存温度Tstg:-65~150℃封装形式:SOT-89 功率特性:中功率 极性:NPN型结构:扩散型 材料:硅(Si) 封装材料:塑料封装 电性能参数(TA=25℃):击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V直流放大系数hFE:60~250 @VCE=8V,IC=70mA集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值)发射极-基...
高频管2SC4226 【品牌简介】 信成(SR)半导体为主要致力于中高频微波管,整流二极管,肖特基二极管,TVS管及电源IC,通用IC的设计,产品主要应用于卫星接收机顶盒、CATV放大模块,通讯,照明,仪表、电源板等电子产品.【产品特性】1.2SC4226硅超高频低噪声晶体管是一种基于N型外延层的晶体管,具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。 2.主要应用 2SC4226主要用于VHF、UHF低电压低噪声放大器。 3.主要特性高增益: ︱S21︱2典型值为9dB @f=1GHz、Vce=3V、Iceo=7mA 低躁声: NF典型值为1.5dB @f=1GHz、Vce=3V、Iceo=7mA 特征频率: fT典型值为4.5GHz @Vce=3V、Ic=7mA 4.极限工作条件范围(T=25℃):集电极基极击穿电压 VCBO 20 V 集电极发射极击穿电压VCEO 12 V 发射极基极击穿电压 VEBO 3 V 集电极电流IC 100 mA 功耗PC 150 mW 结温度Tj 150 ℃ 存储温度Tstg -65~ 150 ℃ 5.HFE规格等级:标号: R23/R24/R25 HFE: 50-100/80-150/125-300 6.电学特性(T=25℃) 集电极基极击穿电压 BVCBO 20V 集电极基极漏电流 ICBO 0.1 uA发射极基极电流 IEBO 1.0 uA 直流增益 HFE 50-300 特征频率 fT 4.5 GHz 输出反馈电容 Cre 1.0 pF功率增【我司概述】深圳市秉诚科技有限公司...