热销NXP SR高频三极管BFQ591
| 价 格： | 面议 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 型号/规格： | BFQ591 | |
| 材料： | 硅(SI) | |
| 品牌/商标： | NXP/恩智浦 | |
| 应用范围： | 放大 |
BFQ591
BFQ591硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片原产于philips公司，现在国内也有公司生产。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的军用微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场研制开发了系列高频微波三极管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品相同。
BFQ591参数
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电极-发射极电压VCEO：15V
集电极-基极电压VCBO:20V 发射极-基极电压VEBO:3.0V
集电极直流电流IC:200mA 总耗散功率(TA=25℃)Ptot:2.25W
工作结温Tj:150℃ 贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-89 功率特性：中功率 极性：NPN型
结构：扩散型 材料：硅(Si) 封装材料：塑料封装
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
直流放大系数hFE:60～250 @VCE=8V,IC=70mA
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值)
特征频率fT:7.0GHz@ VCE=8V,IC=70mA
集电极允许电流IC：0.2（A）
集电极允许耗散功率PT：2.25（W）
插入功率增益∣S21∣：10dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz
功率增益GUM：11dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.7 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。
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环保中高频放大三极管2SC4226 SOT-323
信息内容：高频管2SC4226 【品牌简介】 信成（SR）半导体为主要致力于中高频微波管，整流二极管，肖特基二极管，TVS管及电源IC,通用IC的设计,产品主要应用于卫星接收机顶盒、CATV放大模块,通讯,照明,仪表、电源板等电子产品.【产品特性】1.2SC4226硅超高频低噪声晶体管是一种基于N型外延层的晶体管,具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。 2.主要应用 2SC4226主要用于VHF、UHF低电压低噪声放大器。 3.主要特性高增益: ︱S21︱2典型值为9dB @f=1GHz、Vce=3V、Iceo=7mA 低躁声: NF典型值为1.5dB @f=1GHz、Vce=3V、Iceo=7mA 特征频率: fT典型值为4.5GHz @Vce=3V、Ic=7mA 4.极限工作条件范围(T=25℃)：集电极基极击穿电压 VCBO 20 V 集电极发射极击穿电压VCEO 12 V 发射极基极击穿电压 VEBO 3 V 集电极电流IC 100 mA 功耗PC 150 mW 结温度Tj 150 ℃ 存储温度Tstg -65~ 150 ℃ 5.HFE规格等级：标号： R23/R24/R25 HFE： 50-100/80-150/125-300 6.电学特性(T=25℃) 集电极基极击穿电压 BVCBO 20V 集电极基极漏电流 ICBO 0.1 uA发射极基极电流 IEBO 1.0 uA 直流增益 HFE 50-300 特征频率 fT 4.5 GHz 输出反馈电容 Cre 1.0 pF功率增【我司概述】深圳市秉诚科技有限公司...
长电 ST品牌插件稳压二极管1N4727~1N4761系列
信息内容：秉诚科技(http://www.chipcap.cn)现货优势热销长电、ST、ROHM稳压管系列 品牌：ST LRC CJ/长电 ROHM封装：贴片LL-34/1206（玻封） SOD-123 SOD-323 SOT-23 SOT-323等 插件DO-35 DO-41等型号：贴片系列 2V——75V全系列 2.4V 2.7V 7.5V 12V 15V 20V 36V 47V 51V 75V等 罗姆 RLZ TE-11系列 UDZS TE-17系列 ST ZMM** MMSZ** MMS3Z** 长电 BZT52C** BZX84C** 插件： 1N4727~1N4761(1W) BZX55C**(0.5W)系列 原装，型号齐全，质量保证！！欢迎咨询选购！！
