无锡华晶肖特基二极管2CZ20100A8
| 价 格： | 面议 | |
| 是否提供加工定制： | 否 | |
| 产品类型： | 肖特基管 | |
| 是否进口： | 否 | |
| 品牌/商标： | 华晶 | |
| 型号/规格： | 2CZ20100A8 |
华晶肖特基二极管2CZ20100A9,原厂直销,替代MBR20100C的详细描述：
1 产品概述：
2CZ20100A9LC是硅N型肖特基整流二极管，采用铂（Pt）金属
势垒，控制适当的VF和较低的反向漏电，终端采用G/R环结构，稳
定和提高反向击穿。
产品封装形式：TO-220F，符合RoHS指令要求。
2 产品特点：
z 低的正向压降
z 低的功率损耗，高效
z GR环保护设计
z 175℃工作结温，低漏电
特征参数
VR=100V
IF（AV）=20A
VF（IF=10A）=0.85V
TO-220F
内部等效原理图
3 主要用途：
主要用于彩电、计算机二次电源整流，高频电源整流，以及在微波
通信等电路中用作整流二极管
本公司生产的MOS管、三极管、肖特基二极管、快恢复二极管主要用于电源、节能灯、整流器、LED灯等。不仅提供各种不同的封装形式：TO-92,、TO-126、TO-251、TO-252、TO-220AB、TO-220F、TO-3P。不同规格的三极管：高压三级管、低压三极管、常压三极管、高频三极管、中频三极管、低频三极管。不同型号的三极管：13001、13002、13003、13005、13007、13009。不同型号的MOS管：830、840、730、740、630、640、1N60、2N60、4N60、6N60、8N60、10N60、12N60、20N60。不同型号的晶圆和芯片：三极管芯片、mos芯片、肖特基二极管芯片、快恢复二极管芯片，不同型号的MOS管研发及制造，属于国家高新企业。生产基地位于美丽的太湖之滨--江苏无锡，固定员工2000人，主要的客户有：浙江阳光、德国欧司朗、飞利浦、雷士、三雄、镇江强凌、厦门东林、西普尔。希望各位与我们华润华晶共同进步，携手创造美丽绿色的环保世界。
- 所属城市：江苏 无锡
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨炜伟
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无锡华晶肖特基二极管2CZ2045
信息内容：华晶肖特基二极管ZCZ2045A8 原厂直销 替代MBR2045CT的详细描述：硅 N 型肖特基整流二极管 2CZ2045A8，完美替代MBR2045CT1 产品概述：2CZ2045A8是硅N型肖特基整流二极管，采用铂（Pt）金属势垒，控制适当的正向压降VF和较低的反向漏电，终端采用GR环结构，提高和稳定反向击穿。产品封装形式：TO-220AB，符合RoHS指令要求。特征参数：VR=45VIF（AV）=10×2AVF（IF=10A）=0.65V2 产品特点：z 较低的正向压降z 低的功率损耗，高效z GR环保护设计z 175℃工作结温，低漏电3 主要用途：主要用于彩电、计算机二次电源整流，高频电源整流，以及在微波通信等电路中用作整流二极管。 本公司（华晶）生产的IGBT、MOS管、三极管、肖特基二极管、快恢复二极管主要用于电源、节能灯、整流器、LED灯、电焊机等。不仅提供各种不同的封装形式：TO-92,、TO-126、TO-251、TO-252、TO-220AB、TO-220F、TO-3P。不同规格的三极管：高压三级管、低压三极管、常压三极管、高频三极管、中频三极管、低频三极管。不同型号的三极管：13001、13002、13003、13005、13007、13009。不同型号的MOS管：830、840、730、740、630、640、1N60、2N60、4N60、6N60、8N60、10N60、12N60、20N60。不同型...
无锡华晶mos管CS4N60A3HD原厂直销
信息内容：注1:此处是「华晶」品牌直销，请认准网页的企业实名认证或查看公司诚信档案。 注2:此处所示单价均为网站建设需要，且单价随行就市,故不作为成交的依据。 注3如需产品资料,样品及报价，可以来电13812020156或QQ471321801咨询。 华晶mos管CS1N60A3H，主要应用于LED驱动电源，充电器，电源逆变器，LED灯等，主要的客户有：浙江阳光、德国欧司朗、飞利浦、雷士、三雄、镇江强凌、厦门东林、西普尔、纽福克斯等。也可以联系我qq：471321801，邮箱：youngzorro@hotmail.com VDSS 600 VID 4 APD(TC=25℃) 55 WRDS(ON) 1.9 ? Symbol Parameter Rating UnitsVDSS Drain-to-Source Voltage 600 VContinuous Drain Current 4 AIDContinuous Drain Current TC = 100 °C 2.9 AIDMa1Pulsed Drain Current 16 AVGS Gate-to-Source Voltage ±30 VEAS a2Single Pulse Avalanche Energy 300 mJEAR a1Avalanche Energy ,Repetitive 30 mJIAR a1Avalanche Current 7.7 Adv/dt a3Peak Diode Recovery dv/dt 4.5 V/nsPower Dissipation 75 WPDDerating Factor above 25°C 0.60 W/℃VESD(G-S) Gate source ESD (HBM-C= 100pF, R=1.5k?) 3000 VT...
