供应ON集成电路NCP3063DR2G
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | NCP3063DR2G | |
| 品牌/商标： | ON(安森美) |
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供应茂达集成电路APM3055L
信息内容：ANPEC 热门元件 APW7120 5V至12V的供电电压，8引脚，同步降压PWM控制器 APM4953 双P沟道增强型MOS管 APL1117 1A低压差快速反应积极可调稳压器和固定在1.8V，2.5V，2.85V和3.3V APL1084 第5A低压差可调正快速响应和固定3.3V的稳压器 APL78L12 三端低电流正电压稳压器 APM2054NV N沟道增强型MOS管 APM9435 P沟道增强型MOS管 APL1086 1.5A的低压差快速反应积极可调稳压器和固定在1.8V，2.5V，2.85V和3.3V APM4461 P沟道增强型MOS管 APA4863 2.2W的立体声音频功率放大器 APT7843 触摸屏控制器 APM2506NU N沟道增强型MOS管 APT7843OI 触摸屏控制器 BZX84C62LT1G BZX84C68LT1G BZX84C6V2ET1G BZX84C6V2ET3...
供应INTEL集成电路E28F008SA85
信息内容：1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY 28F001BX-T/28F001BX-B/28F001BN-T/28F001BN-B Y High-Integration Blocked Architecture ÐOne 8 KB Boot Block w/Lock Out ÐTwo 4 KB Parameter Blocks ÐOne 112 KB Main Block Y 100,000 Erase/Program Cycles Per Block Y Simplified Program and Erase ÐAutomated Algorithms via On-Chip Write State Machine (WSM) Y SRAM-Compatible Write Interface Y Deep Power-Down Mode Ð0.05 mA ICC Typical Ð0.8 mA IPP Typical Y 12.0V g5% VPP Y High-Performance Read Ð70/75 ns, 90 ns, 120 ns, 150 ns Maximum Access Time Ð5.0V g10% VCC Y Hardware Data Protection Feature ÐErase/Write Lockout during Power Transitions Y Advanced Packaging, JEDEC Pinouts Ð32-Pin PDIP Ð32-Lead PLCC, TSOP Y ETOXTM II Nonvolatile Flash Technology ÐEPROM-Compatible Process Base ÐHigh-Volume Manufacturing Experience Y Extended Temperature Options 1SMA5939BT3G ...
