价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MMBZ5242BW | |
品牌/商标: | GOOD-ARK | |
封装形式: | SOT-323 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 散装 |
MMBZ5242BW稳压二极管参数:
表面材料:硅
功耗:200mW
工作温度:-65℃~150℃
封装:SOT-323
MMBZ52系列稳压二极管属性(I=10mA:V<0.9v):
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二极管主要参数
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
1、整流电流
是指二极管长期连续工作时允许通过的正向电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、反向工作电压
加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流
反向电流是指二极管在规定的温度和反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
结构简介 三极管的基本结构是两个反向连结的PN结面,如图1所示,可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极(emitter,E)、基极(base,B)和集电极(collector,C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号,发射极特别被标出,箭号所指的极为n型半导体, 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时,两个pn接面都会形成耗尽区,将中性的p型区和n型区隔开。 pnp和npn三极管的结构及其示意图 三极管的电特性和两个pn结面的偏压有关,工作区间也依偏压方式来分类,这里 我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active),在此区EB极间的pn接 面维持在正向偏压,而BC极间的pn接面则在反向偏压,通常用作放大器的三极管 都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。EB接面的空乏区由于正向偏压会变窄,载体看到的位障变小,射极的空穴会注入到基极,基极的电子也会注入到射极;而BC接面的耗尽区则会变 宽,载体看到的位障变大, 故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压,和偏压在正向活性区两种情形下,空穴和电子的电位能的分布图。三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢...
产品信息: 加工定制: 是 品牌:HT 型号: 1SS400/SOD-523 应用范围: 放大 材料: 硅(Si) 极性: NPN型 击穿电压VCEO: 100(V) 集电极允许电流ICM: 2(A) 集电极耗散功率PCM: 2(W) 截止频率fT: 100-150(MHz) 结构: 合金型 封装形式: SOD-523 封装材料: 塑料封装 营销方式: 厂家直销 功率特性: 中功率 产品性质: 新品 dzsc/19/2343/19234301.jpg 三极管的工作原理 三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 电流放大下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是...