价 格: | 面议 | |
型号/规格: | 1SS400 | |
品牌/商标: | ST(意法半导体) | |
封装形式: | SOD-523 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 |
产品信息:
加工定制: 是 品牌:HT
型号: 1SS400/SOD-523 应用范围: 放大
材料: 硅(Si) 极性: NPN型
击穿电压VCEO: 100(V) 集电极允许电流ICM: 2(A)
集电极耗散功率PCM: 2(W) 截止频率fT: 100-150(MHz)
结构: 合金型 封装形式: SOD-523
封装材料: 塑料封装 营销方式: 厂家直销
功率特性: 中功率 产品性质: 新品
三极管的工作原理
三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。
电流放大下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射 极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。
产品信息: 产品类型:开关管 品牌:HT 型号:1SS181 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 功率特性:小功率 频率特性:高频 发光颜色:无 LED封装:无 出光面特征:无 发光强度角分布:无 检测 肖特基(Schottky)二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),它是一种低 肖特基二极管结构符号特性曲线功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。 dzsc/19/2343/19234302.jpg
1N5819 SS14定义: 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 1N5819 SS14作用: 肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 一个典型的应用,是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面,通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。 肖特基(Schottky)二极管的特点是正向压降 VF...