供应BAT54WS，肖特基二极管BAT54WS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BAT54WS | |
| 品牌/商标： | JCST（长电） | |
| 封装形式： | SOD-323 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
产品参数
二极管类型 肖特基
电压 - (Vr)（） 30V
电流 - 平均整流 (Io) 200mA（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（） 1V @ 100mA
速度 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间(trr) -
电流 - 在 Vr 时反向漏电 500nA @ 30V
电容@ Vr, F -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-76，SOD-323
供应商设备封装 SOD-323
包装 带卷 (TR)
二极管相关知识
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
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哪里PT8205 MOS管好，深圳优质厂家PT8205 MOS管大量供应
信息内容：产品信息： 类型：其他IC 品牌：GOOD-ARK 型号：PT8205 主要参数 1.开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； ·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V； ·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID 定义： mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管...
供应PT9435集成电路，现货PT9435集成电路厂家大量批发
信息内容：产品信息： 种类： 集成电路(IC) 品牌： HT（金誉） 型号： PT9435 集成电路行业发展趋势分析 集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于硅的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于锗的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。 2001年到2010年这10年间，我国集成电路产量的年均增长率超过25%，集成电路销售额的年均增长率则达到23%。2010年国内集成电路产量达到640亿块，销售额超过1430亿元，分别是2001年的10倍和8倍。中国集成电路产业规模已经由2001年不足世界集成电路产业总规模的2%提高到2010年的近9%。中国成为过去10年世界集成电路产业发展最快的地区之一。 国内集成电路市场规模也由2001年的1140亿元扩大到2010年的7350亿元...
