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哪里PT8205 MOS管好,深圳优质厂家PT8205 MOS管大量供应

价 格: 面议
型号/规格:PT8205
品牌/商标:GOOD-ARK

  产品信息:
  类型:其他IC

     品牌:GOOD-ARK

      型号:PT8205


  主要参数
  1.开启电压VT
  ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
  ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;
  ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
  2. 直流输入电阻RGS
  ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
  ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
  ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
  3. 漏源击穿电压BVDS
  ·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS   ·ID剧增的原因有下列两个方面:
  (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿
  (2)漏源极间的穿通击穿
  ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID


  定义:
  mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

苏州固锝电子股份有限公司
公司信息未核实
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