vishay 插件 TVS瞬态抑制二极管 P6KE170A DO-204
| 价 格： | 面议 | |
| 工作温度范围： | 1（℃） | |
| 功耗： | 1 | |
| 批号： | 12+ | |
| 材料： | 硅(SI) | |
| 是否进口： | 是 | |
| 针脚数： | 2 | |
| 型号/规格： | P6KE170A | |
| 产品类型： | 瞬变抑制二极管 | |
| 品牌/商标： | Vishay/威世通 | |
| 封装： | DO-204/DO-51 |
瞬态二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负81次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差 、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。
目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。
- 所属城市：广东 深圳
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东芝 开关电源 大功场率应管 TK13A60D TO-220
信息内容：产品型号:TK13A60D封装:TO-220F标记:K13A60D源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):13源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.43 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):50输入电容Ciss(PF):2300 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：6.5单脉冲雪崩能量EAS(mJ):511导通延迟时间Td(on)(ns):100 typ.上升时间Tr(ns):50 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):140 typ.下降时间Tf(ns):25 typ.温度(℃): -55 ~150描述:600V,13A N-沟道增强型场效应晶体管Switching Regulator Applications"
仕兰 MOS 管 7N65
信息内容：7N65数据表：7.4A，650V N沟道功率MOSFET说明：7N65是一种高电压功率MOSFET和设计成具有更好的特性，如快速切换时间，低栅极电荷，低通态电阻，具有较高的崎岖雪崩特性。这是功率MOSFET通常用在高速开关应用在开关电源，适配器。7n65特点：* RDS（ON）=1.2Ω@ VGS = 10 V*超低栅极电荷（典型29 nC）*低反向传输电容（CRSS =典型16PF）*快速开关能力*雪崩能量测试*改进dv / dt能力，高耐用性"
