价 格: | 面议 | |
工作温度范围: | 1(℃) | |
功耗: | 1 | |
批号: | 12+ | |
材料: | 硅(SI) | |
是否进口: | 是 | |
针脚数: | 2 | |
型号/规格: | P6KE170A | |
产品类型: | 瞬变抑制二极管 | |
品牌/商标: | Vishay/威世通 | |
封装: | DO-204/DO-51 |
瞬态二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负81次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差 、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。
目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。
产品型号:TK13A60D封装:TO-220F标记:K13A60D源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):13源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.43 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):50输入电容Ciss(PF):2300 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s):6.5单脉冲雪崩能量EAS(mJ):511导通延迟时间Td(on)(ns):100 typ.上升时间Tr(ns):50 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):140 typ.下降时间Tf(ns):25 typ.温度(℃): -55 ~150描述:600V,13A N-沟道增强型场效应晶体管Switching Regulator Applications"
7N65数据表:7.4A,650V N沟道功率MOSFET说明:7N65是一种高电压功率MOSFET和设计成具有更好的特性,如快速切换时间,低栅极电荷,低通态电阻,具有较高的崎岖雪崩特性。这是功率MOSFET通常用在高速开关应用在开关电源,适配器。7n65特点:* RDS(ON)=1.2Ω@ VGS = 10 V*超低栅极电荷(典型29 nC)*低反向传输电容(CRSS =典型16PF)*快速开关能力*雪崩能量测试*改进dv / dt能力,高耐用性"