东芝 开关电源 大功场率应管 TK13A60D TO-220
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | TK13A60D | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:TK13A60D
封装:TO-220F
标记:K13A60D
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):13
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.43 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):2300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：6.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):511
导通延迟时间Td(on)(ns):100 typ.
上升时间Tr(ns):50 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):140 typ.
下降时间Tf(ns):25 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,13A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 赖燕君
- 电话：
- 传真：
- 手机：13534091654
- QQ ：
仕兰 MOS 管 7N65
信息内容：7N65数据表：7.4A，650V N沟道功率MOSFET说明：7N65是一种高电压功率MOSFET和设计成具有更好的特性，如快速切换时间，低栅极电荷，低通态电阻，具有较高的崎岖雪崩特性。这是功率MOSFET通常用在高速开关应用在开关电源，适配器。7n65特点：* RDS（ON）=1.2Ω@ VGS = 10 V*超低栅极电荷（典型29 nC）*低反向传输电容（CRSS =典型16PF）*快速开关能力*雪崩能量测试*改进dv / dt能力，高耐用性"
原装IWATT IW3614-00 SOP-8
信息内容：特性 适用于输入100V或230V的隔离或非隔离LED驱动电源输出功率高达15W满足谐波及高功率因数要求（通常情况 0.94, 不带调光器）交流输入频率范围：45 Hz～66 Hz智能化的调光器检测方式前切相可控硅调光器后切相调光器无调光器状态检测不支持的调光器识别保护混合模式的调光控制，调幅和PWM调脉宽相结合宽输出调光范围: 1%~100%调光无闪烁控制技术准谐振开关模式，转化效率化，高达85%类程序化的过温保护小体积设计低容值输入电容小体积低容值输出电容小体积功率变压器初级侧电流检测技术，无需光藕，简化电路高精度的恒流输出：± 5%低启动电流（10uA），低功耗快速启动低容值输出电容，满足LED负载热插拔要求多重保护功能：LED 负载开路保护电源系统单点故障保护LED过电流保护LED 短路保护电流取样电阻短路保护类程式化过温保护应用调光型 LED 灯具
