大量批发拆机场效应管50N06大量批发拆机场效应管 50N06
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 大量批发拆机场效应管 50N06 | |
| 品牌/商标： | 进口 |
材料： GE-P-FET锗P沟道 种类： 结型(JFET)
封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A
型号： 50N06 55N06 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插
截止频率fT： MHZ 品牌： 进口
用途： S/开关 沟道类型： N沟道
导电方式： 耗尽型
场效应管的判别检测 用指针式万用表对场效应管进行判别
（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
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大量批发电动车控制器专用场效应管K4145
信息内容：材料： GE-P-FET锗P沟道 种类： 结型(JFET) 封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A 型号： K4145 2SK4145 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT： MHZ 品牌： NEC/日本电气 用途： UNI/一般用途 沟道类型： N沟道 导电方式： 耗尽型 场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗，较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。
供应原装拆机场效应管IRF1010E
信息内容：材料： GE-P-FET锗P沟道 种类： 结型(JFET) 封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A 型号： F1010E IRF1010E 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT： MHZ 品牌： ST/意法 用途： UNI/一般用途 沟道类型： N沟道 导电方式： 耗尽型 VMOS场效应管还有以下特点。 1.输入阻抗高。由于栅源之间是SiO2层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。 2.驱动电流小。由于输入阻抗高，VMOS管是一种压控器件，一般有电压就可以驱动，所需的驱动电流极小。 3.跨导的线性较好。具有较大的线性放大区域，与电子管的传输特性十分相似。较好的线性就意味着有较低的失真，尤其是具有负的电流温度系数(即在栅极与源极之间电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小)，故不存在二次击穿所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到了广泛的应用。 4.结电容无变容效应。VMOS管的结电容不随结电压而变化，无一般晶体管结电容的变容效应，可避免由变容效应招致的失真。 5.频率特性好。VMOS场效应管的多数载流子运动属于漂移运动，且漂移距离仅1～1.5um，不受晶体管那样的少数载流子...
