一、TMR优势
功耗低
灵敏度/分辨率高
工作范围宽
工作温度范围大
高频响,可达GHz
二、AMR工作原理
单磁层器件
平行磁场感应
1~3% △R/R
工作在45°偏角
电流在薄膜平面流动
工作场范围窄
三、安装方式:
1.水平磁化的长条或圆柱形磁铁。磁阻传感器放置与磁铁同一水平面。磁铁旋转,磁阻传感器感应磁场变化,输出占空比为50%的方波信号。
2.水平磁化的长条或圆柱形磁铁。磁阻传感器放置于磁铁上表面。磁铁旋转,磁阻传感器感应磁场变化,输出占空比为50%的方波信号。
3.磁阻传感器放置于磁铁侧面,磁阻传感器敏感轴如图所示。磁铁旋转,磁阻传感器感应磁场变化输出占空比为50%的方波信号。
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一、TMR工作原理 TMR效应利用了电子的自旋特性,电子在通过第二层磁性材料时,电子的自旋方向被定义; 具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO(氧化镁)绝缘层,然后有选择性地穿过磁性层(自旋相同则通过——低电阻,否则不通过——高电阻); 室温条件下,TMR的电阻变化率(△R/R)可达500%以上。 二、产品特点: 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度,低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的温度稳定性 7.极高的频率响应 8.优良的ESD防护性能 三、产品应用: 1.计量仪表(水表,气表,热量表) 2.固态开关 3.速度检测 4.旋转位置检测 5.线性位移检测 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您!
一、四代磁性传感技术 代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器 第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器 第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器 第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器 二、Hall工作原理 电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转,在磁场方向上形成附加的横向电场,即霍尔电场纵向磁场感应。 三、AMR工作原理 单磁层器件 平行磁场感应 1~3% △R/R 工作在45°偏角 电流在薄膜平面流动 工作场范围窄 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您!