价 格: | 0.01 | |
品牌/型号: | TOS日本东芝 | |
种类: | 绝缘栅MOSFET | |
用途: | L/功率放大 | |
封装外形: | SMDSO/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 12(V) | |
夹断电压: | 10(V) | |
低频跨导: | 10(μS) | |
极间电容: | 10(pF) | |
低频噪声系数: | 3(dB) | |
漏极电流: | 0.1(mA) | |
耗散功率: | 0.1(mW) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
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产品的详细情况型号: 2SK2698 EOL announced产品分类名: 晶体管/功率MOSFET/Nch 250V<VDSS≦500V 属性属性值条件部件型号2SK2698 极性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID15 A 漏功耗PD150 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)58 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.4 Ω 封装TO-3P(N) 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V)