| 价 格: | 4.35 | |
| 品牌/型号: | TOS日本东芝 | |
| 种类: | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途: | MIX/混频 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压: | 12(V) | |
| 夹断电压: | 8(V) | |
| 低频跨导: | 2(μS) | |
| 极间电容: | 2(pF) | |
| 低频噪声系数: | 3(dB) | |
| 漏极电流: | 15(mA) | |
| 耗散功率: | 20(mW) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 |
产品的详细情况
型号: 2SK2698
EOL announced
产品分类名: 晶体管/功率MOSFET/Nch 250V<VDSS≦500V 属性
属性值条件部件型号2SK2698 极性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID15 A 漏功耗PD150 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)58 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.4 Ω 封装TO-3P(N) 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V)