10N60 DG10N60 电源开关MOS 场效应管 低价销售
| 价 格： | 2.20 | |
| 品牌/型号： | DG 东光/10N60 DG10N60 | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 2-4（V） | |
| 跨导： | 10（μS） | |
| 极间电容： | 1570（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0.1（dB） | |
| 漏极电流： | 9500（mA） | |
| 耗散功率： | 156000（mW） | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
Features : High input resistance and low drive current |
DG10N60 VDMOS power transistor | Parameter | Symbol | Rating value | Unit |
drain current ( continuous ) | ID | 9.5 | A | |
drain source voltage | VGS | ±30 | V | |
drain current ( pulsed ) | IDM | 38 | A | |
thermal resistance （junction case ) | RθJC | 0.8 | ℃/W | |
dissipated power Tc=25oC | Ptot | 156 | W | |
junction temperature | Tj | -55 to 150 | ℃ | |
storage temperature | Tstg | -55 to 150 | ℃ |
DG10N60 VDMOS power transistor Electrical characteristics | Parameter | Symbol | Test conditions | Value | Unit | |
MIN | NOR | MAX | ||||
D-S voltage | VDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | ||
D-S on resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=4.75A | 0.6 | 0.73 | Ω | |
gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2 | 4 | V | |
S-D leakage current | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 10 | μA | ||
G-S leakage current | IGSS | VGS= 30V | ±100 | nA | ||
transconductance | gfs | VDS=50V, ID=4.75A | 8 | S | ||
input capacitance | Ciss | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0mHz | 1570 | 2040 | pF |
- 所属城市：广东 东莞
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