价 格: | 1.01 | |
品牌/型号: | Infineon-BSS670S2L | |
种类: | 结型JFET | |
特色标志: | 新品 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
沟道类型: | N沟道 |
描述
描述 晶体管极性:n频道 电流, Id 连续:640mA 电压, Vds :100V 在电阻RDS(上):1ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值???压, Vgs th 典型值:4V 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010) SMD标号:7N1 功率, Pd:625mW 功耗:625mW 封装类型:SOT-23 总功率, Ptot:625mW 晶体管数:1 晶体管类型: 温度 @ 电流测量:25°C 漏极电流, Id 值:640mA 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:100V 电压, Vgs :4V 电流, Idm 脉冲:2.5A 结温, Tj :-55°C 结温, Tj :150°C 表面安装器件:表面安装 通态电阻, Rds on :1ohm 阈值电压, Vgs th :2V
描述 晶体管极性:?频道 电流, Id 连续:115mA 电压, Vds :60V 在电阻RDS(上):5ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V 工作温度范围:-55°C 到 150°C 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010) SMD标号:702 功率, Pd:200mW 功耗:200mW 外宽:3.05mm 外部深度:2.5mm 外部长度/高度:1.12mm 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 晶体管数:1 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 漏极电流, Id 值:280mA 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:60V 电压, Vgs :2.1V 电流, Idm 脉冲:800mA 表面安装器件:表面安装 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm 阈值电压, Vgs th :2.5V