价 格: | 0.28 | |
品牌/型号: | Fairchild | |
种类: | 结型JFET | |
特色标志: | 新品 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
沟道类型: | N沟道 |
描述
描述 晶体管极性:?频道 电流, Id 连续:200mA 电压, Vds :60V 在电阻RDS(上):5ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V 封装类型:TO-92 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010) 功耗:400mW 封装类型:TO-92 漏极电流, Id 值:200mA 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:60V 电压, Vgs :3V 表面安装器件:通孔安装
描述 电压, Vdrm:600V 电流, It 有效值:4A 电流, Itsm (50Hz):30A 保持电流:10mA 电压, Vgt:1.3V 铂族金属栅极峰值功率:1W 工作温度范围:-40°C 到 125°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010) 封装类型:DPAK 电流, Itsm:30A 晶闸管/双向晶闸管类型:双向晶闸管(TRIAC) 栅极触发电流, Igt, (Q1), t2 g :5mA 电压, Vrrm:600V 电流, Itsm (60Hz):31A 电流, t2 g-:5mA 电流, t2-g-:5mA 表面安装器件:表面安装 门极触发电流,糖耐量低减:5mA