美格拉原装MOS——MDI3N40TH
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | MagnaChip美格纳半导体/MDI3N40TH | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | SMDSO/表面封装 | |
| 开启电压： | 5（V） | |
| 跨导： | 2000（μS） | |
| 极间电容： | 167（pF） | |
| 漏极电流： | 2000（mA） | |
| 耗散功率： | 30000（mW） | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
适用于：LED,TV,开关电源，PFC等
• 封装形式：TO-251
• VDS = 400V
• ID = 2.0A @ VGS = 10V
• RDS(ON) ≤ 3.4Ω @ VGS = 10V
• 工作温度范围：-55 ~ 150°C
上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：上海 上海市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 何军
- 电话：021-39121306/39121309
- 传真：021-39121309
- 手机：15216657665/18964602998
- QQ ：
公司相关产品
长期供应ST原装VND600SP
信息内容：驱动芯片类型:高压侧模块配置:高压侧输出电流 峰值:40A输入延迟:30µs输出延时:30µs电源电压范围:5.5V 到 36V封装类型:PowerSO针脚数:10工作温度范围:-40°C 到 150°CSVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)封装类型:PowerSOIC功耗, Pd:96.1W号输出通道:2器件标号:600电源电压 :36V电源电压 最小:5.5V表面安装器件:表面安装输出电流:40A通道配置:2/2
IR原装功率MOS——IRL530NLPBF
信息内容：•封装形式：TO-262•导通电阻：RDS(ON)=100mΩ•栅极电荷量：QGD=20nC• 反向恢复时间：Trr=210nS•漏极电流：ID=17A @ TC=25°C•漏源电压：VDSS=100V•工作温度范围：-55 ~ 175°C
