长期供应ST原装VND600SP
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | ST意法半导体/VND600SP | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
- 驱动芯片类型:高压侧
- 模块配置:高压侧
- 输出电流 峰值:40A
- 输入延迟:30µs
- 输出延时:30µs
- 电源电压范围:5.5V 到 36V
- 封装类型:PowerSO
- 针脚数:10
- 工作温度范围:-40°C 到 150°C
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- 封装类型:PowerSOIC
- 功耗, Pd:96.1W
- 号输出通道:2
- 器件标号:600
- 电源电压 :36V
- 电源电压 最小:5.5V
- 表面安装器件:表面安装
- 输出电流:40A
- 通道配置:2/2
上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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IR原装功率MOS——IRL530NLPBF
信息内容：•封装形式：TO-262•导通电阻：RDS(ON)=100mΩ•栅极电荷量：QGD=20nC• 反向恢复时间：Trr=210nS•漏极电流：ID=17A @ TC=25°C•漏源电压：VDSS=100V•工作温度范围：-55 ~ 175°C
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