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SPW20N60S5

价 格: 面议
品牌/型号:infineon英飞凌)/SPW20N60S5
种类:绝缘栅MOSFET
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型

 Cool MOS™ Power Transistor

•VDS=600V

•ID=20A

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

•功率耗散:208W

•开启延迟时间:120ns

•关断延迟时间:130ns

•导通电阻:RDS(on)=0.19Ω

•封装形式:TO-247

•耗散功率:Ptot=208W

 

 

 

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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IR 原装功率MOS——IRFP140N

信息内容:

•导通电阻:RDS(on) max=52mΩ •工作温度范围:-55 ~ 175°C •封装形式:TO-247AC •VDS=100V •ID=33A •Trr=250ns

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美格拉原装MOS——MDI3N40TH

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适用于:LED,TV,开关电源,PFC等• 封装形式:TO-251• VDS = 400V• ID = 2.0A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 3.4Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C

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