MOS管 三极管 场效应AO6601L AO6601
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/型号： | AOS/AO6601L | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 极性： | N/P型 | |
| 封装形式： | 贴片型 |
数据列表 AO6601
产品相片 6-TSOP
其它图纸 AO6xxx Series 6-TSOP Top
AO6xxx Series 6-TSOP End
AO6xxx Series 6-TSOP Side
标准包装 3,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 -
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.4A, 2.3A
Id 时的 Vgs(th)（） 1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 4.34nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 390pF @ 15V
功率 - 1.15W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSOP
供应商设备封装 6-TSOP
包装 带卷 (TR)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 林爱凤
- 电话：0755-88824483
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IRF840 功率管 IRF840 进口IRF840 电磁炉功率管IRF840
信息内容：IRF840数据列表IRF840PBFPackaging Information产品相片TO-220-3, TO-220AB标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET -单系列-FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点标准型漏极至源极电压(Vdss) 500V电流-连续漏极(Id) @ 25°C 8A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25°C 850毫欧@ 4.8A, 10VId时的Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V输入电容(Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V功率-125W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件 深圳市广鑫世纪电子有限公司为音响设备、汽车、IT、通讯设备、网络设备、遥控系统、监视系统，仪器仪表、家电控制、及高端工业产品等领域提供电子元器件工厂配单，主营品牌：TI、IR、ON、ST、凌特、美信、仙童…… 由于价格有波动幅度，本公司均已0.1代替所有产品，如需采购请加及时联系本公司 深圳市广鑫世纪电子有限公司 电话：0755-88824483 传真：82570181 联系电话：18923788872 Email:raoxiao@smk-ic.com本公司诚信经营，可开17%增值税票
