价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
集电极耗散功率PCM: | 125 | |
封装形式: | 直插型 | |
集电极允许电流ICM: | Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA | |
型号/规格: | IRF840 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
IRF840
数据列表IRF840PBF
Packaging Information
产品相片TO-220-3, TO-220AB
标准包装1,000
类别分离式半导体产品
家庭FET -单
系列-
FET型MOSFET N通道,金属氧化物
FET特点标准型
漏极至源极电压(Vdss) 500V
电流-连续漏极(Id) @ 25°C 8A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25°C 850毫欧@ 4.8A, 10V
Id时的Vgs(th)()4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V
输入电容(Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
功率-125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
包装管件
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