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IRF840 功率管 IRF840 进口IRF840 电磁炉功率管IRF840

价 格: 面议
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
集电极耗散功率PCM:125
封装形式:直插型
集电极允许电流ICM:Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
型号/规格:IRF840
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标:IR/国际整流器
用途:A/宽频带放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型

IRF840

数据列表IRF840PBF

Packaging Information

产品相片TO-220-3, TO-220AB

标准包装1,000

类别分离式半导体产品

家庭FET -

系列-

FETMOSFET N通道,金属氧化物

FET特点标准型

漏极至源极电压(Vdss) 500V

电流-连续漏极(Id) @ 25°C 8A

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25°C 850毫欧@ 4.8A, 10V

Id时的Vgs(th)()4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V

输入电容(Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V

功率-125W

安装类型通孔

封装/外壳TO-220-3

供应商设备封装TO-220AB

包装管件

 

 

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