AO3400A、AO3401A、AO3415A、AO3434AOS全系列场效应管
| 价 格： | 0.35 | |
| 品牌/型号： | AO3400A、AO3401A、AO3415A、AO3434 | |
| 封装： | SOT-23 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 批号： | 12+ | |
| 特色标志： | 现货 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 沟道类型： | N沟道 |
AO3400类别：分离式半导体产品
家庭：FET-单路
FET型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
开态Rds（）@Id,Vgs@25°C：26.5毫欧@5.7A,10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)@25°C：5.7A
Id时的Vgs(th)（）：1.5V@250μA
闸电荷(Qg)@Vgs：13nC@4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@15V
功率-：1.4W
安装类型：表面贴装
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 郑小姐
- 电话：0755-82043503
- 传真：0755-82874889
- 手机：13602525829
- QQ ：
供应IR IRF7342TRPBF原装现货场效应管
信息内容：IR IRF7342TRPBF原装现货场效应管，原装现货。 数据列表 IRF7342PbF 产品相片 8-SOIC 产品目录绘图 IR Hexfet 8-SOIC 标准包装 4,000 类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 阵列 系列 HEXFET? FET 型 2 个 P 沟道（双） FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.4A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 105 毫欧 @ 3.4A，10V Id 时的 Vgs(th)（） 1V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs 38nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 690pF @ 25V 功率 - 2W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装 8-SO 包装 带卷 (TR) 产品目录页面 1521 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 IRF7342PBFTR
供应代理美国万代AOZ1024DI原装现货场效应管
信息内容：代理美国万代AOZ1024DI原装现货场效应管，优势库存。 数据列表 AOZ1024DI 产品相片 AOZ1024DI8-DFN 标准包装 3,000 类别 集成电路 (IC) 家庭 PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 系列 EZBuck? 类型 降压（降压） 输出类型 可调式 输出数 1 输出电压 0.8 V ~ 16 V 输入电压 4.5 V ~ 16 V PWM 型 电流模式 频率 - 开关 500kHz 电流 - 输出 4A 同步整流器 是 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-VDFN 包装 带卷 (TR) 供应商设备封装 8-DFN（5x4） 产品目录页面 1359 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 785-1157-2
