供应代理美国万代AOZ1024DI原装现货场效应管
| 价 格： | 2.60 | |
| 品牌/型号： | 代理美国万代AOZ1024DI | |
| 型号/规格： | AOZ1024DI | |
| 品牌/商标： | AOS | |
| 加工定制： | 否 | |
| 类型： | 绝缘栅型场效应管/MOS场效应管 | |
| 沟道类型： | N型沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 适合频率： | 低频 | |
| 工作电压： | 0.8-16V | |
| 工作电流： | 4A | |
| 允许功耗： | 4.5-16W |
代理美国万代AOZ1024DI原装现货场效应管，优势库存。
| AOZ1024DI |
| AOZ1024DI 8-DFN |
| 3,000 |
| 集成电路 (IC) |
| PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 |
| EZBuck? |
| 降压（降压） |
| 可调式 |
| 1 |
| 0.8 V ~ 16 V |
| 4.5 V ~ 16 V |
| 电流模式 |
| 500kHz |
| 4A |
| 是 |
| -40°C ~ 85°C |
| 表面贴装 |
| 8-VDFN |
| 带卷 (TR) |
| 8-DFN（5x4） |
| 1359 (CN2011-ZH PDF) |
| 785-1157-2 |
深圳市万国高科电子有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 郑小姐
- 电话：0755-82043503
- 传真：0755-82874889
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信息内容：IR IRLML6302TRPBF原装现货场效应管，优势库存热卖 数据列表 IRLML6302PbF 产品相片 SOT-23 产品目录绘图 IR Hexfet Micro-3, SOT-23 标准包装 3,000 类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET? FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 780mA 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 600 毫欧 @ 610mA，4.5V Id 时的 Vgs(th)（） 1.5V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs 3.6nC @ 4.45V 输入电容 (Ciss) @ Vds 97pF @ 15V 功率 - 540mW 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装 Micro3?/SOT-23 包装 带卷 (TR) 产品目录页面 1520 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 IRLML6302PBFTR
