厂家直销，特价供应1A塑料封装单向可控硅，品质保障

价格：		面议
品牌/型号：		国产/1A
极数：		三极
封装材料：		塑料封装
封装外形：		平板形
散热功能：		带散热片
频率特性：		高频
功率特性：		中功率
额定正向平均电流：		1（A）
稳定工作电流：		10（A）
反向重复峰值电压：		600（V）
控制方式：		单向
关断速度：		普通
控制极触发电流：		30-120（mA）A

详细介绍
企业详情

用途；主要用于漏电保护器、彩灯控制器、逻辑电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器及开关控制电路。
芯片尺寸：1.20X1.20mm²
封装形式：TO-92
同类型号：MCR100-6，MCR100-8，BT169
极限参数（Ta=25℃）

参数名称	符号	额定值	单位
断态重复峰值电压	V_DRM	600	V
反向重复峰值电压	V_RRM	600	V
通态平均电流	I_T	1	A
通态不重复浪涌电流	I_TSM	10	A
结温	T_j	110	℃
贮存温度	Tatg	-40~150	℃

电参数（TC=25℃）

参数名称	符号	测试条件	规范值		单位
参数名称	符号	测试条件	最小值	值	单位
断态重复峰值电压	V_DRM		600		V
反向重复峰值电压	V_DRM	I_R=50μA	600		V
断态重复峰值电流	I_DRM	V_DRM=520V		10	μA
通态峰值电压	V_TM	I_T=2A		1.7	V
维持电流	I_H	I_T=0.1A,I_GT=0.12mA		5	mA
控制极触发电流	I_GTI	V_AK=6V,R_L=100Ω	10	30	μA
			20	50
			30	80
			60	120
控制极触发电压	V_GTI	V_AK=6V,R_L=100Ω V_DRM=400V R_GR=1KΩ，T_j=110℃	0.4	0.8	V
控制极不触发电压	V_GD	V_AK=6V,R_L=100Ω V_DRM=400V R_GR=1KΩ，T_j=110℃	0.1		V

重庆凯驿电子有限公司座落于重庆市北部新区，因重庆市是西部重点发展地区、国家内陆经济特区、全球的笔记本生产基地、国际化经济开发区，再加之其怡人的居住环境，使公司的先天发展具有得天独厚的环境、地理和经济优势。重庆凯驿电子有限公司经销批发的LED芯片、LED灯具、各类半导体芯片、电力元器件、半导体封装耗材畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。重庆凯驿电子科技有限公司经销的LED芯片、LED灯具、各类半导体芯片、电力元器件、半导体封装耗材品种齐全、价格合理。公司自创建起，就以“创建国际一流企业，打造世界知名品牌”为奋斗目标，高起点、大手笔的建立了符合国际标准的万级净化车间，从德国、美国、韩国、日本等国家引进了成套具有世界先进水平的全自动生产、检验、测试设备，其先进齐备的动力设施和日臻完善的工艺技术在同行中都处于地位。公司将 “诫浮华，讲实效”作为企业的精神，以“为客户提供一流的产品”为己任，按照国际化的标准，建立了一套严格的产品质量监控体系，并一次性通过了ISO9001：2000国际质量管理体系认证，并获得高新技术企业称号。公司凭借先进的生产设备、严格的管理体制、过硬的生产技术和可靠的产品质量，其销售网络分布东南地区以深圳、珠三角、成渝经济区为中心，辐射并延伸中、西部地区，覆盖全国十多个省市，出口香港、东南亚地区及韩国等地。公司产品遍布全国各个地域的电子、玩具、电工、医用、军工、建筑材料、汽车、电器、道路交通、仪器仪表等各个领域，是21世纪半导体器件发展方向的先进代表之一。而公司过硬的产品质量和完善的售后服务更是备受广大用户的青睐，满足了顾客的要求与期望。展望未来，公司还将一如既往、开拓创新，坚持“业精于勤、诚信为本”的经营理念，立足于高新技术产品的研发、生产、销售，努力开拓海内外市场。坚持以科技为先导、以建立科学规范的企业制度为契机，全面提高经营管理水平，不断提高市场竞争力、经济效益和社会效益。经国家工商部门批准注册，重庆凯驿电子有限公司具备LED芯片、LED灯具、各类半导体芯片、电力元器件、半导体封装耗材的招商代理资格。重庆凯驿电子有限公司优质的产品质量,广阔的市场前景,丰厚的代理待遇,强大的代理优势,让您创业投资不再难。集天下良友，纳四海英才，重庆凯驿电子有限公司热忱欢迎各位有志之士前来实地参观和考察，愿与国内外同仁携手共进，共创美好未来。

重庆凯驿电子有限公司

公司信息未核实

所属城市：重庆
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联系人： 张容连
电话：
传真：
手机：13983810753
QQ ：

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信息内容：

用途；主要用于小型马达控制器、漏电保护器、电子点火器及其他开关控制电路。芯片尺寸：2.50X2.50mm2封装形式：TO-220AB极限参数（Ta=25℃）参数名称符号额定值单位断态重复峰值电压VDRM600V反向重复峰值电压VRRM600V通态平均电流IT8A通态不重复浪涌电流ITSM80A结温Tj110℃贮存温度Tatg-40~150℃电参数（TC=25℃）参数名称符号测试条件规范值单位最小值值断态重复峰值电压VDRMID=0.1mA600 V反向重复峰值电压VDRMIR=0.1mA600 V断态重复峰值电流IDRMVDRM=520V 20μA通态峰值电压VTMIT=16A 1.7V维持电流IHIT=0.2A,IGT=20mA 30mA控制极触发电流IGTI VAK=6V,RL=100Ω1.03.0mA2.86.05.010.08.0 12.0控制极触发电压VGTIVAK=6V,RL=100ΩVDRM=400V RGR=1KΩ，Tj=110℃ 1.2V控制极不触发电压VGD0.2 V

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厂家特价直销MBR1060C系列肖特基管，量大从优

信息内容：

肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管，其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N 阴极层及阴极金属等构成，如图所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

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