厂家特价直销MBR1060C系列肖特基管，量大从优
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | MIC/MBR1060C | |
| 是否提供加工定制： | 是 | |
| 产品类型： | 肖特基管 | |
| 是否进口： | 否 | |
| 主要参数： | VR,VF,IR,IFSM,CJ | |
| 用途： | 广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。 | |
| 备注： | 主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件， | |
| 材料： | 硅Si |
肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管，其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N 阴极层及阴极金属等构成，如图所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
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厂家直销，特价供应MJE13002塑料封装三极管
信息内容：特点：耐压高、开关速度快安全工作区宽应用：节能灯电子镇流器封装形式：TO-126额定值（TC=25℃）参数名称符号额定值单位集电极-基极电压VCBO600V集电极-发射极电压VCEO400V发射极-基极电压VEBO9V集电极电流IC1.0A集电极耗散功率PC20W工作温度Tj150℃贮存温度Tstg-65-150℃电特性（TC=25℃）参数名称符号测试条件最小值值单位集电极-基极截止电流ICBOVCB=600V 100μA集电极-发射极截止电流ICEOVCE=400V，IB=0 250μA集电极-发射极电压VCEOIC=10mA,IB=0400 V发射极-基极电压VEBOIE=1mA, IC=09 V集电极-发射极饱和电压VCESIC=0.2A,IB=0.04A 0.5VIC=0.5A,IB=0.1A 1.0IC=0.8A,IB=0.2A 3.0发射极-基极饱和电压VBESIC=0.2A,IB=0.04A 1.2V电流放大倍数hFEVCE=5V,IC=5 mA8 VCE=5V,IC=0.1A1040 VCE=5V,IC=0.5A8 贮存时间tsVCC=250V，IC=5IBIB1=IB2=1A 2.5μS下降时间Tr 0.8
厂家直销，特价供应5A塑料封装单向可控硅，品质保障
信息内容：用途；主要用于小型马达控制器、漏电保护器、彩灯控制器、灯具继电器激励器、电子点火器及其他开关控制电路。芯片尺寸：1.90X1.90mm2封装形式：TO-220AB极限参数（Ta=25℃）参数名称符号额定值单位断态重复峰值电压VDRM600V反向重复峰值电压VRRM600V通态平均电流IT5A通态不重复浪涌电流ITSM50A结温Tj110℃贮存温度Tatg-40~150℃电参数（TC=25℃）参数名称符号测试条件规范值单位最小值值断态重复峰值电压VDRMID=0.1mA600 V反向重复峰值电压VDRMIR=0.1mA600 V断态重复峰值电流IDRMVDRM=520V 10μA通态峰值电压VTMIT=10A 1.7V维持电流IHIT=0.1A,IGT=20mA 20mA控制极触发电流IGTI VAK=6V,RL=100Ω1.03.0mA2.86.05.010.08.0 12.0控制极触发电压VGTIVAK=6V,RL=100ΩVDRM=400V RGR=1KΩ，Tj=110℃ 1.2V控制极不触发电压VGD0.2 V
