供应-55℃~125℃传感器芯片，MMA153F单轴角度传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMA153F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMA153F单轴角度传感器介绍：
隧道磁电阻（TMR）芯片通过磁栅尺检测，可以实现线位移和线速度地测量；通过对相位差的判断，可以实现位移方向识别。TMR芯片可以实现极高分辨率地检测，并且有很强的抗干扰能力。TMR芯片在磁栅尺传感器中应用时，敏感方向与磁栅尺行进方向保持一致。
二、性能比较： Hall TMR
灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe
线性度 2% 0.4%
温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃
三、TMR磁阻传感器在物联网中的应用
磁传感器作为传感器产业中的重要分支，在物联网应用领域有着巨大的市场，在全球范围内被很多国家提高到了国家经济和国防的战略高度。
我国物联网“十二五”发展规划近日出台。规划要求到2015年初步完成物联网产业体系构建，形成较完善的物联网产业链，“感知技术、传输技术、处理技术”将作为物联网核心技术攻克的重要领域,而产业布局和培育方面，国家将重点推进十大产业聚集区及100家骨干企业的建设，力争实现规模化应用。这十个发展重点领域应用示范工程包括：智能工业、智能农业、智能物流、智能交通、智能电网、智能环保、智能安防、智能医疗以及智能家居。
四、MMA153F单轴角度传感器特性
大的空气间隙
极高分辨率
低功耗
超高响应频率
大的输出信号
方向识别
超强抗干扰能力
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供应单轴角度传感器，多维传感器芯片优质热卖
信息内容：一、单轴角度传感器在消费电子中的应用 磁传感器在消费电子类产品，如手机、笔记本电脑、电子玩具、电子罗盘中也有非常广泛的应用。未来磁传感器在消费电子市场将有较大的成长，MEMS传感器与磁传感器在应用中互相促进，对推动这一趋势有一定贡献。虽然磁阻传感器发展历程已经很漫长，技术相对成熟，但仅作为电子罗盘的单独应用，在以前并不被人们很看好，而现在它与MEMS的结合，会在导航市场成为一个亮点。 二、单轴角度传感器特性 大的空气间隙 极高分辨率 低功耗 超高响应频率 大的输出信号 方向识别 超强抗干扰能力 三、产品介绍： 隧道磁电阻（TMR）芯片通过磁栅尺检测，可以实现线位移和线速度地测量；通过对相位差的判断，可以实现位移方向识别。TMR芯片可以实现极高分辨率地检测，并且有很强的抗干扰能力。TMR芯片在磁栅尺传感器中应用时，敏感方向与磁栅尺行进方向保持一致。 四、由于MEMS和磁阻传感器在功能上可以互相补充，它们的结合使导航产品更加精准。如果把陀螺仪、加速度和磁传感器三种传感器集成在一起，三者在功能上互相辅助，构成了功能更强大的惯性导航产品。 近些年手机、GPS市场的发展带动了对导航功能的需求。在这...
供应隧道磁电阻(TMR)双轴角度传感器，多维热销厂家
信息内容：一、隧道磁电阻(TMR)双轴角度传感器性能参数 工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V 工作电流 ICC TA = 25°C 14(2) μA 电阻 R TA = 25°C 70(3) kOhm 输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V 偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V TCOV(5) Operating -0.1 %/°C 工作磁场 B Operating 60 400 Oe 角度误差 E Operating 1 Degree 使用温度 TA Operating -40 125 °C 注： (1) 1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 (2) ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 (3) 电阻值有多种选择，详情请咨询多维科技有限公司。 二、隧道磁电阻(TMR)双轴角度传感器概述 在角度传感器的应用场合下，在MMA243F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。 MMA243F采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计，每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件，使得其输出信号的峰峰值可达工作电压的80%，从而省去了许多应用中所需要的外部信号放大处理电路。此外，独特的TMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。MMA243F性能优越，采用超...
