一、高频响应MMS105H系列传感器特点:
1.隧道磁电阻 (TMR) 技术
2.双极锁存型开关
3.高灵敏度,低开关点
4.超低功耗
5.宽工作电压范围
6.卓越的温度稳定性
7.极高的频率响应
8.优良的ESD防护性能
二、产品简介:
实际的TMR器件及其制造工艺要远比以上三层膜结构复杂,但是就磁性传感器的应用来讲,我们可以认为TMR传感器就是一个电阻,只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化,其阻值发生改变,并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30~50%,对于氧化镁MgO可达200%,因此其输出相当可观,灵敏度非常高.正是由于TMR的这些优点,TMR已经在硬盘磁头这一对工作稳定性等各项性能要求极高的高精技术领域取代GMR磁头,因此TMR的性能已经经受了最为严格的考验.而随着TMR磁性传感器的大规模应用,其优异的性能将随着其产业化的发展,而渗透到传感器行业方面和应用领域,为最终客户和传感器供应商创造更多的价值和提供更优的技术体验。由于TMR的优异性能,一方面将会为很多传感器应用领域提供全新的技术解决方案,另一方面,也为磁传感器生产企业提供了一个非常好的发展机遇。
三、产品应用:
1.计量仪表(水表,气表,热量表)
2.固态开关
3.速度检测
4.旋转位置检测
5.线性位移检测
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一、传感器芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 失调电压:VOQ ±5 mV/V 磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数:-0.1 %/°C 使用温度:TA -40 125 °C 频率响应:FCUT DC 20 MHz 二、125°C传感器芯片应用介绍: 被测磁场平行于TMR元件灵敏方向,磁环聚集了被测电流产生的磁场,在缺口处,TMR元件感应到该磁场,使二次线圈产生电流和磁场,二次线圈又反作用于磁环,使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中,TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。 性能比较: 灵敏度 线性度 温度系数 大 小 -3dB带宽 小 大 三、125°C传感器芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。 ...
江苏多维科技有限公司拥有的磁传感芯片的制造设备,拥有多项自主知识产权和核心技术,并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。 产品特点: · 隧道磁电阻 (TMR) 技术 · 全极磁开关 · 高灵敏度,低开关点 · 超低功耗 · 宽工作电压范围 · 卓越的温度稳定性 · 高速磁场检测和高的频率响应 · 优良的 ESD 防护性能 典型应用: · 计量仪表 · 固态开关 · 速度检测 · 旋转位置检测 江苏多维科技有限公司由10名欧美留学博士创办,拥有世界上、的磁性芯片技术和丰富的产业经验,矢志不渝地将多维发展成为世界、性能、质量稳定、服务的磁传感器芯片供应商,引领、主导磁传感器行业,并且在企业设立的研发中心,建立传感器产业园,发挥产业集聚效应,为社会创造更大的价值。...