供应125℃传感器芯片，MDT电磁传感器芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLD47F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、传感器芯片性能参数
工作电压:VCC 1 5 V
工作电流:ICC 12.5(2) μA
电阻值:R 80(3) kOhm
灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe
动态范围:±70 Oe
线性范围:非线性度<1% ±20 Oe
失调电压:VOQ ±5 mV/V
磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS
失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数:-0.1 %/°C
使用温度:TA -40 125 °C
频率响应:FCUT DC 20 MHz
二、125°C传感器芯片应用介绍：
被测磁场平行于TMR元件灵敏方向，磁环聚集了被测电流产生的磁场，在缺口处，TMR元件感应到该磁场，使二次线圈产生电流和磁场，二次线圈又反作用于磁环，使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中，TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。
性能比较：
灵敏度
线性度
温度系数 大 小
-3dB带宽 小 大
三、125°C传感器芯片概述
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。
四、极限参数参数
工作电压:VCC 6 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场:B 2000 Oe(1)
ESD:(HBM) 4000 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °
外加磁场
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