价 格: | 0.05 | |
品牌/型号: | KEC/KTA 1266 | |
应用范围: | 功率 | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCBO: | /(V) | |
集电极允许电流ICM: | 500(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 564(W) | |
截止频率fT: | 10(MHz) | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 塑料封装 | |
材料: | 硅Si | |
结构: | 点接触型 |
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小型品MINIATURE SIZE*迷你型电解电容,成品之本体缩短至9mm以下,适合供应小型化的电子产品.*适用于高密度之电子设备,如OA机器,电子计算机,电脑周边,液晶显示产品等 目前客人为降低成本可用DIP电解电容代替SMD贴片铝电解电容特性规范项目特性参数额定工作温度范围-40~ 105℃额定工作电压范围6.3~63V电容量范围0.1~470μF电容量允许偏差(20℃,120Hz)±20%(M)泄漏电流(20℃,120Hz)印加额定电压二分钟后I≤0.01CV 或3μA,二者取大值C:额定电容量,单位为μF;V:额定工作电压,单位为V。损失因子(20℃,120Hz)W.V.(V)6.3101625355063Tanδ(max.)0.240.200.160.140.120.100.09低温特性(120Hz)W.V.(v)6.31016~2535~63阻抗比ZT/Z 20(max.)Z-25℃/Z 20℃432Z-40℃/Z 20℃8643高温负荷 105℃对电容器施加额定电压1000小时,经恢复后,特性参数满足以下要求电容量变化≤初测值的±20%损耗角正切≤规格值的2倍泄漏电流≤规格值高温贮存特性在 105℃的环境下存放500小时,经恢复后,特性参数满足以下要求电容量变化≤初测值的±20%损耗角正切≤规格值的1.5倍泄漏电流≤规格值的2倍其他其他参数满足国际JIS C5141标准。外形图D&pl...
Ⅱ类高电介质电容器主要成份以钛酸钡为主而制成,因具有高的功率因数故称"Hi-k"此类电容器容量大,内部阻抗小,低损耗,在电路中常作隔直流,旁路,耦合之用 1、 使用温度范围: -25 ~ 85℃ 2、静电容量: 在温度25±2℃以内、以1±0.1KHZ及Vrms=1.0v , 不超过容量精度要求 3、测试电压:按标称电压之2.5倍测试 4、绝缘阻抗:依额定电压±3%印加60±5秒达到,I.R≥10000MΩ 5、损耗角正切值: MAX 2.5%