天旺以电子元器件为着陆点,潜心二、三极管领域近20年,是电子元器件产业二、三极管领域执着的守候者,立志做中国本土的电子元器件通路商。
三极管的概述
半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
三极管的主要参数
特征频率fT
当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。
工作电压/电流
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。
hFE
电流放大倍数。
VCEO
集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。
PCM
允许耗散功率。
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天旺拥有自主研发品牌“HT”。是迪浦国际集团“PHILOP”系列产品,香港先科集团“ST”系列产品,江苏长电集团“长电”系列产品总代理。 晶体三极管的概述 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。 晶体三极管的主要作用 晶体三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合...
天旺拥有自主研发品牌“HT”。是迪浦国际集团“PHILOP”系列产品,香港先科集团“ST”系列产品,江苏长电集团“长电”系列产品总代理。 PNP型三极管简介 由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,称为PNP型三极管.也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管. PNP型三极管发射极电位,集电极电位,UBE<0. 三极管按结构分,可分为NPN型三极管和PNP型三极管. 三极管导通时IE=(放大倍数+1)*IB和ICB没有关系,ICB=0 ICB>0时,可能三极管就有问题,所以三极管在正常工作时,不管是工作在放大区还是饱和区ICB=0 当UBE>0.7V(硅)(锗0.2V),RC/RB<放大倍数时,三极管工作在饱和区,反之就工作在放大区 dzsc/18/9621/18962197.jpg