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IRF3205场效应管

价 格: 1.00
品牌/型号:IR
种类:结型JFET
用途:MOS-HBM/半桥组件
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:MES金属半导体
开启电压:120(V)
夹断电压:85(V)
低频跨导:1(μS)
极间电容:1(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:1(mA)
耗散功率:125(mW)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型

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东莞市宗强电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
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  • 联系人: 陈志辉
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