价 格: | 面议 | |
品牌/型号: | MagnaChip美格纳半导体/MDF16N50GTH | |
种类: | 绝缘栅MOSFET | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 14800(μS) | |
极间电容: | 1724(pF) | |
漏极电流: | 16000(mA) | |
耗散功率: | 49400(mW) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
适用于:开关电源,HID,照明等
• VDS = 500V
• ID = 16.0A @ VGS = 10V
• RDS(ON) ≤ 0.35Ω @ VGS = 10V
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
• 功率损耗:49.4W
•导通电阻:RDS(on) = 0.04Ω •封装形式:TO-220AB •VDS=200V •ID=56A @TC=25°C •PD=380W @TC=25° •工作温度范围: -55 ~ 175°C
功率MOS:1000V,3.1A •无铅封装•封装形式:TO-220•导通电阻RDS(ON)=5.0Ω•耗散功率(MAX):125W•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开启延迟时间:12ns•关断延迟时间:89ns