威世原装MOS——IRFBG30PBF
| 价 格： | 5.30 | |
| 品牌/型号： | VISHAY/IRFBG30PBF | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 开启电压： | 1000（V） | |
| 跨导： | 2100（μS） | |
| 极间电容： | 980（pF） | |
| 耗散功率： | 125000（mW） | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
功率MOS：1000V,3.1A
•无铅封装
•封装形式：TO-220
•导通电阻RDS(ON)=5.0Ω
•耗散功率（MAX):125W
•工作温度范围：-55 ~ 150°C
•开启延迟时间：12ns
•关断延迟时间：89ns
上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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信息内容：•导通电阻：RDS(on) = 0.1Ω •封装形式：TO-220AB •VDS=200V •ID=18A @TC=25°C •PD=100W @TC=25° •工作温度范围: -55 ~ 175°C
仙童原装FQP6N90C
信息内容：适用于：高效开关电源 Features• 6A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 30 nC)• Low Crss ( typical 11 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability •封装形式：TO-220•工作温度范围：-55——150°C•开机延长时间：35ns•关机延长时间：55ns
