价 格: | 面议 | |
品牌/型号: | ST意法半导体/VND7NV04 | |
种类: | 绝缘栅MOSFET | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | SMDSO/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 40(V) | |
漏极电流: | 400(mA) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
•开态电阻RDS(on):60 mΩ
•封装类型:TO-252(DPAK)
•安装形式:表贴
•开启延迟时间:100ns
•关断延迟时间:500ns
•功率损耗:60W
适用于:开关电源,HID,照明等 • VDS = 500V• ID = 16.0A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 0.35Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C• 功率损耗:49.4W
•导通电阻:RDS(on) = 0.04Ω •封装形式:TO-220AB •VDS=200V •ID=56A @TC=25°C •PD=380W @TC=25° •工作温度范围: -55 ~ 175°C