供应QM200DP-H三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM200DP-H\t 200A/600V/2U | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应QM200DP-H三菱模块
IGBT使用注意事项：1）栅极与任何导电区要保持绝缘，以免产生静电而击穿，所以包装时在G极和E极之间装有导电泡沫塑料，将它短接。装配时切不可用手指直接接触，直到G极引脚进行了性连接。
2）主电路用螺钉拧紧，G极要用插件，尽可能不用焊接方式。
3）装卸时应采用接地工作台、接地地面、接地腕带等防静电措施。
4）仪器测量时，将100Ω电阻与G极串联。
5）要在未连接电源时进行安装。
6）焊接G极时，电烙铁要停电并接地，选用定温电烙铁最合适。当手工焊接时，温度为260℃±5℃、时间为10s±Is，使用松香焊剂。波峰焊接时，印制电路板要预热到80～105℃，在245℃时浸人焊接3～4s，使用松香焊剂。
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供应三菱模块QM50E2Y（E3Y）-H
信息内容：供应三菱模块QM50E2Y（E3Y）-H du／dt及短路保护 在IGBT关断时，栅极要加反向偏置，由于栅极的阻抗很大，该电流使Uge增加，恶劣条件下达到阈值电压时，则IGBT将开通，导致上下臂同时开通使桥臂某一相短路，为防止这现象的发生要注意以下几点： 1）在关断状态要加足够的负栅极电压，至少－5V。 2）在关断时fi－为较低值（可见表2 － 17）。 3）栅极电路的电感Lg应降至。 当短路情况出现时，IGBT要继续维持在短路安全工作区内，其方法有： 1）通过电流传感器检测短路的发生。 2）欠饱和时，必须能测出短路到关断IGBT时间在10μs之内，常用的有三种方法： ①控制关断：减少栅极电压（有分段或斜坡减少）增加沟道内阻。 ②Uge钳位：Uge在18V以下，对小功率器件，可在G极与E极之间用齐纳二极管钳位。 ③减少tw：缩短短路持续时间，但这将使关断电流增大。 相似型号： QM30E2Y（E3Y）-H 30A/600V/ 单臂斩波 QM150DH-H 150A/600V/2U QM50E2Y（E3Y）-H 50A/600V QM200DP-H 200A/600V/2U QM75E2Y（E3Y）-H 75A/600V QM30CY-H 2单元对管30...
供应QM150DY-HB三菱模块
信息内容：供应QM150DY-HB三菱模块 IGBT损坏的主要原因 1. 过电流损坏； IGBT有一定抗过电流能力，但必须注意防止过电流损坏。IGBT 复合器件内有一个寄生晶闸管，所以有擎住效应。IGBT 的等效电路，在规定的漏极电流范围内，NPN 的正偏压不足以使NPN 晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这个正偏压足以使NPN 晶体管开通，进而使NPN 和PNP 晶体管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，门极失去了控制作用，便发生了擎住效应。IGBT 发生擎住效应后，漏极电流过大造成了过高的功耗，导致器件的损坏。 2. 过电压损坏； IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压过压则可能造成IGBT 击穿损坏。 3. 桥臂共导损坏； 4. 过热损坏和静电损坏。 相似型号： QM75DY-H（HB） 75A/600V/2U QM75DX-H 75A/600V/2U QM100DY-H（HB） 100A/600V/2U QM100DQ-H 100A/600V/2U QM150DY-H（HB） 150A/600V/2U QM100DX-H 100A/600V/2U QM200DY-H（HB） 200A/600V/2U QM120DX-H 120A/600V/2U QM300DY-H（HB） 300/600V/2U QM150DX-H 150A/600V/2U
