供应三菱模块QM50E2Y（E3Y）-H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM50E2Y（E3Y）-H 50A/600V | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块QM50E2Y（E3Y）-H
du／dt及短路保护 在IGBT关断时，栅极要加反向偏置，由于栅极的阻抗很大，该电流使Uge增加，恶劣条件下达到阈值电压时，则IGBT将开通，导致上下臂同时开通使桥臂某一相短路，为防止这现象的发生要注意以下几点：1）在关断状态要加足够的负栅极电压，至少－5V。
2）在关断时fi－为较低值（可见表2 － 17）。
3）栅极电路的电感Lg应降至。
当短路情况出现时，IGBT要继续维持在短路安全工作区内，其方法有：
1）通过电流传感器检测短路的发生。
2）欠饱和时，必须能测出短路到关断IGBT时间在10μs之内，常用的有三种方法：
①控制关断：减少栅极电压（有分段或斜坡减少）增加沟道内阻。
②Uge钳位：Uge在18V以下，对小功率器件，可在G极与E极之间用齐纳二极管钳位。
③减少tw：缩短短路持续时间，但这将使关断电流增大。
相似型号：
QM30E2Y（E3Y）-H 30A/600V/ 单臂斩波QM150DH-H 150A/600V/2U
QM50E2Y（E3Y）-H 50A/600V
QM200DP-H 200A/600V/2U
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QM50CY-H 2单元对管50A/600V
QM200E2Y（E3Y）-HB 200A/600V
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供应QM150DY-HB三菱模块
信息内容：供应QM150DY-HB三菱模块 IGBT损坏的主要原因 1. 过电流损坏； IGBT有一定抗过电流能力，但必须注意防止过电流损坏。IGBT 复合器件内有一个寄生晶闸管，所以有擎住效应。IGBT 的等效电路，在规定的漏极电流范围内，NPN 的正偏压不足以使NPN 晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这个正偏压足以使NPN 晶体管开通，进而使NPN 和PNP 晶体管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，门极失去了控制作用，便发生了擎住效应。IGBT 发生擎住效应后，漏极电流过大造成了过高的功耗，导致器件的损坏。 2. 过电压损坏； IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压过压则可能造成IGBT 击穿损坏。 3. 桥臂共导损坏； 4. 过热损坏和静电损坏。 相似型号： QM75DY-H（HB） 75A/600V/2U QM75DX-H 75A/600V/2U QM100DY-H（HB） 100A/600V/2U QM100DQ-H 100A/600V/2U QM150DY-H（HB） 150A/600V/2U QM100DX-H 100A/600V/2U QM200DY-H（HB） 200A/600V/2U QM120DX-H 120A/600V/2U QM300DY-H（HB） 300/600V/2U QM150DX-H 150A/600V/2U
供应QM100DY-HB三菱模块
信息内容：供应QM100DY-HB三菱模块 IGBT概述： 电力电子器件的发展经历了晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、晶体管(BJT)、绝缘栅晶体管(IGBT)等阶段。目前正向着大容量、高频率、易驱动、低损耗、模块化、复合化方向发展，与其他电力电子器件相比，IGBT具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点，为了达到这些高性能，采用了许多用于集成电路的工艺技术，如外延技术、离子注入、精细光刻等。要提高功率MOSFET的耐压能力，势必增加高导通电阻，从而妨碍器件在高电压、大电流范围的应用。针对这些缺陷，20世纪80年代诞生了功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)器件，20世纪90年代初进入实用化。近几年来，功率IGBT的性能提高很快，额定电流已达数百安培，耐压达1500V以上，而且还在不断提高。由于IGBT器件具有PIN二极管的正向特性，P沟功率IGBT的特性不比N沟IGBT差多少，这非常有利于在应用中采取互补结构，从而扩大其在交流和数字控制技术领域中的应用。 目前，应用在中压大功率领域的电力电子器件，已形成GTO、IGCT、IGBT、IEGT相互竞争不断创新的技术市场，在大功率(1MW)，低频率(1kHz)的传动领域，如电力牵引机车领域GTO、IGCT有着独特的优势，而...
