半导体放电管-固体放电管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | P0080TA-SB-SC-3500LA-3100SB-2600LA-2300LA | |
| 品牌/商标： | SEMIWILL |
半导体放电管-固体放电管
概述：
固体放电管（半导体放电管）是基于可控硅的原理和结构的一种二端负阻器件，用于保护敏感易损的集成电路，使之免遭雷电和突波的冲击而造成的损坏。它采用了先进的离子注入技术，具有导通、快速响应、浪涌吸收组能力强、可靠性高等特点;广泛应用于通讯交换设备中的程控交换机、电话机、传真机、配线架、XDSL、通讯接口、通讯发射设备等一切需要防雷保护的领域，以保护其内部的IC免受瞬间过电压的冲击和破坏。在当今世界微电子及通讯设备高速发展的今天，固态放电管已成为世界通讯设备的器件。
产品特性：
采用了先进的离子注入技术，具有导通、快速响应、浪涌吸收组能力强、可靠性高
产品系列：
SMA封装/3000V/50A系列
型号：P0080TA P0300TA P1100TA P1300TA P1800TA P2300TA P2600TA P3100TA P3500TA P4200TA
封装形式：SMA/DO-214AC
浪涌吸收能力：10/700Us-3KV 10/1000uS-50A
包装方式：盘装 5000只/盘
SMB封装/3000V/50A系列
型号：P0080SA P0300SA P1100SA P1300SA P1800SA P2300SA P2600SA P3100SA P3500SA P4200SA
封装形式：SMB/DO-214AA
浪涌吸收能力：10/700Us-3KV 10/1000uS-50A
包装方式：盘装 2500只/盘
SMB封装/4000V/75A系列
型号：P0080SB P0300SB P1100SB P1300SB P1800SB P2300SB P2600SB P3100SB P3500SB P4200SB
封装形式：SMB/DO-214AA
浪涌吸收能力：10/700Us-4KV 10/1000uS-75A
包装方式：盘装 2500只/盘
SMB封装/6000V/100A系列
型号：P0080SC P0300SC P1100SC P1300SC P1800SC P2300SC P2600SC P3100SC P3500SC P4200SC
封装形式：SMB/DO-214AA
浪涌吸收能力：10/700Us-6KV 10/1000uS-100A
包装方式：盘装 2500只/盘
DO-41封装/3000V/50A系列
型号：P0080KA P0300KA P1100KA P1300KA P1800KA P2300KA P2600KA P3100KA P3500KA P4200KA
封装形式：DO-41
浪涌吸收能力：10/700Us-3KV 10/1000uS-50A
包装方式：盘装 4000只/盘
DO-15封装/3000V/50A系列
型号：P0080LA P0300LA P1100LA P1300LA P1800LA P2300LA P2600LA P3100LA P3500LA P4200LA
封装形式：DO-15
浪涌吸收能力：10/700Us-3KV 10/1000uS-50A
包装方式：盘装 3000只/盘
DO-15封装/4000V/75A系列
型号：P0080LB P0300LB P1100LB P1300LB P1800LB P2300LB P2600LB P3100LB P3500LB P4200LB
封装形式：DO-15
浪涌吸收能力：10/700Us-4KV 10/1000uS-75A
包装方式：盘装 3000只/盘
产品封装形式： SMA、SMB、DO-15、DO-41等
包装方式：盘装
环保要求：RoHS、Reach等
作为全球的半导体分立器件生产厂家，SEMIWILL为您提供质的元器件产品，包括半导体放电管（Thyristor Surge Suppressors）、陶瓷气体放电管(Gas Discharge Tubes)、瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressors)、静电保护器（EletroStatic Protection Devices）和可控硅产品（Thyristor）等，同时我们为您提供的行业解决方案以及免费的测试验证服务等。更多产品和服务信息，请关注http://www.semiwill.com
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功率MOS管-MOSFET-场效应管
信息内容：功率MOS管-MOSFET-场效应管 概述： 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 产品特性： 热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范 产品系列： 1N60系列MOS管 关键参数：漏-源电压BVDSS≥600V 漏极电流ID≥1.0A 导通电阻RDS≤16.5ohm 封装形式:TO-92 应用领域：电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等 1N80系列MOS管 关键参数：漏-源电压BVDSS≥800V 漏极电流ID≥1.0A 导通电阻RDS≤16.5ohm 封装形式:TO-92 应用领域：电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等 2N60系列MOS管 关键参数：漏-源电压BVDSS≥600V 漏极电流ID≥2.0A 导通电阻RDS≤5.0ohm 封装形式:TO-92/TO-251/TO-126 应用领域：电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等 2N65系列MOS管 关键参数：漏-源电压BVDSS≥650V ...
贴片可控硅-贴片晶闸管
信息内容：贴片可控硅 概述： 可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。 产品特性： 采用双面台面结构，台面玻璃钝化工艺，阻断电压高，耐电流能力强。 产品系列： BT151S-500R/600R/650R/800R系列 关键参数：均方根电流IT(RMS)：12A 断态重复电压VDRM/VRRM：500/600/650/800V 触发电流IGT：15mA以下 封装形式: TO-252 应用领域：摩托车电压调节器、小家电、电机调速、工业和家庭电加热控制、交流电开关、交直流电源变换等 BT152S-500R/600R/650R/800R系列 关键参数：均方根电流IT(RMS)：20A 断态重复电压VDRM/VRRM：500/600/650/800V 触发电流IGT：15mA以下 封装形式: TO-252/TO-263 应用领域：摩托车电压调节器、小家电、电机调速...
