MOS管 三极管 场效应FQP10N20 FQP10N20CTSTU FQP10N20C
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FQP10N20 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | **（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 IRFP350
产品相片 TO-247-3
产品目录绘图 IRFP Series Side 1
IRFP Series Side 2
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 9.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 400V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 16A
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 150nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2600pF @ 25V
功率 - 190W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 韦蘅珍
- 电话：
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- 手机：18922867849
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MOS管 三极管 场效应 FQU7P20
信息内容：数据列表 FQD7P20, FQU7P20 产品相片 DPAK_369D−01 产品变化通告 Lead Dimension Change 23/Jan/2007 标准包装 5,040类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 QFET™FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 690 毫欧 @ 2.85A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.7A Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 25nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 770pF @ 25V 功率 - 2.5W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商设备封装 I-Pak 包装 管件 "
MOS管 三极管 场效应IRF820A IRF820ASPB IRF820APBF IRF820AL
信息内容：数据列表 IRF820APBF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 1.5A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.5A Id 时的 Vgs(th)（） 4.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 340pF @ 25V 功率 - 50W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF820APBF
