价 格: | 1.00 | |
总频差: | .(MHz) | |
温度频差: | .(MHz) | |
输出阻抗: | .(kΩ) | |
调整频差: | .(MHz) | |
基准温度: | -40℃~+85℃(℃) | |
激励电平: | 1μW(mW) | |
插入损耗: | .(dB) | |
负载谐振电阻: | 65KΩ max.(Ω) | |
标称频率: | 32.768KHZ(MHz) | |
种类: | 晶振 | |
加工定制: | 否 | |
负载电容: | 7.0pF / 9.0pF /12.5pF(pF) | |
输入阻抗: | .(kΩ) | |
型号: | SSP-T7F | |
阻带衰减: | .(dB) | |
品牌: | SEIKO/精工 | |
.: | . |
长期优势供应SII全系列电池\晶振...........................
项目 | 记号 | 规格 | 条件 |
公称频率 | f_nom | 32.768KHz | |
频率容许偏差 | f_tol | ±20ppm, ±50ppm. | |
顶点温度 | Ti | 25℃ ± 5℃ | |
二级温度系数 | B | (-3.5±1.0) x 10-8 / ℃2 | |
负载容量 | CL | 7.0pF / 9.0pF /12.5pF | |
等效电阻 | R1 | 65KΩ max. | |
激励等级 | DLmax | 1μW | |
推荐激励等级 | DL | 0.1μW | |
静电容 | C0 | 0.8pF典型值 | |
频率老化程度 | f_age | ±3ppm max. | 年 25℃±3℃ |
工作温度范围 | T_use | -40℃~ 85℃ | |
保存温度范围 | T_stg | -55℃~ 125℃ |
VT-200-F SSP-T7-F 长期原装SII优势供应项目记号规格条件公称频率fo32.768KHz 频率容许偏差△f/fo(±5ppm,±10ppm,±20ppm) 顶点温度Tp 25℃±5℃ 二级温度系数K(-3.5±0.8)x10-8/℃2 负载容量CL4.5 to 12.5pF 等效电阻R150KΩmax. 激励等级DLmax1μW 推荐激励等级DL0.1μW 静电容Co0.86pF typ. 频率老化程度△f/fo±5ppm max. 25℃±3℃,年工作温度范围Tope-10℃ to 60℃ 保存温度范围Tsto-30℃to 70℃ "
供应富鼎全系列元件! IGBT MOS ICAP20G45EH450V±6V 8 130 Vge@4.5V20Single NTO-252AP20G45EJ450V±6V 8 130 Vge@4.5V20Single NTO-251AP20GT60SW600V±20V2.340125Single NTO-3PAP25G45EM450V±6V 8 150 Vge@4.5V2.5Single NSO-8 Strobe FlashAP25G45GEM450V±6V 8 150 Vge@4.5V2.5Single NSO-8 Strobe FlashAP26G40GEO-HF400V±6V1501Single NTSSOP-8AP28G45EM450V±6V6130 Vge@3.3V2.5Single NSO-8 Strobe FlashAP28G45GEM450V±6V6130 Vge@3.3V2.5Single NSO-8 Strobe FlashAP30G100W1000V±30V3.660208Single NTO-247AP30G120SW1200V±30V3.660208Single NTO-247AP30G120W1200V±30V3.660208Single NTO-247AP50G60SW600V±30V2.575300Single NTO-3PAP85G33W300V±30V2.185150Single NTO-247