价 格: | 0.13 | |
加工定制: | 否 | |
品牌: | 陶瓷晶振 | |
型号: | 陶瓷晶振 | |
种类: | 晶振 | |
调整频差: | 797(MHz) | |
温度频差: | 97878(MHz) | |
总频差: | 7(MHz) | |
负载电容: | 87(pF) | |
负载谐振电阻: | 8(Ω) | |
激励电平: | 78(mW) | |
基准温度: | 78(℃) | |
插入损耗: | 787(dB) | |
阻带衰减: | 8(dB) | |
输入阻抗: | 877(kΩ) | |
输出阻抗: | 77(kΩ) |
老化特性±1ppm/年,内部采用SMD/SMC,并采用激光束和汽相点焊方式封装,
高度为4mm。日本富士电气化学公司开发的个人手持电话系统(PHS)
等移动通信用VCXO,共有两大类六个系列,为适应SMT要求,
全部采用SMD封装。Saronix的S1318型、Vectron国际公司的J型、
Champion技术公司的K1526型和Fordahi公司的DFVS1-KH/LH等VCXO,
均是表面贴装器件,电源电压为3.3V或5V,
可覆盖的频率范围或频率分别为32~120MHz、155MHz、2~40MHz和1-50MHz,
牵引度从±25ppm到±150ppm不等。MF电子公司生产的T-VCXO系列产品尺寸为5mm×7mm,
曾被业内认为是外形尺寸最小的产品,但这个小型化的记录很快被打破。
目前新推出的双频终端机用VCXO尺寸仅为5.8mm×4.8mm,
并且有的内装2只VCXO。Raltron电子公司生产的VX-8000系
CL是晶振的负载电容,晶振在使用时对其负载电容是有要求的,以保证晶振在正确的频率下振荡.32.768KHZ的晶振一般要求负载电容为6pf或12.5pf,在实际应用中需要对电容进行调节使晶振获得正确的振荡频率. 在本文设计的电路中Cl(或C2) 包括两部分的电容,一部分是片外电容。另一部分使用片内集成的可调节的电容阵列,如图6所示,用四个MOS开关控制可变电容从0 到15pf变化,依次递增1pf.这样就可以直接通过控制字调节晶体负载电容的大小,以使晶体正确振荡在32.768KHZ.所有电路参数都设置好之后,使用Spectre进行电路仿真,可以得到晶振电路的起振过程及稳态下的波形.从图7(a)中可以清楚的看到晶振电路的起振过程,一般的起振时间需要几百个ms.稳定情况下invl的一端是正弦波,另一端是被放大了的近似方波,需要图1中所示的inv2进行整型得到外形较好的方波并提供足够的驱动能力驱动后面的数字电路.通过仿真还可以得到流过反相器的电流为1.4uA,晶体的功耗为0.1uW.
所有电路参数都设置好之后,使用Spectre进行电路仿真,可以得到晶振电路的起振过程及稳态下的波形.从图7(a)中可以清楚的看到晶振电路的起振过程,一般的起振时间需要几百个ms.稳定情况下invl的一端是正弦波,另一端是被放大了的近似方波,需要图1中所示的inv2进行整型得到外形较好的方波并提供足够的驱动能力驱动后面的数字电路.通过仿真还可以得到流过反相器的电流为1.4uA,晶体的功耗为0.1uW