价 格: | 0.18 | |
加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | 西铁城晶振 | |
型号/规格: | 西铁城晶振 | |
种类: | 晶振 | |
调整频差: | 56(MHz) | |
温度频差: | 89(MHz) | |
负载电容: | 8(pF) | |
负载谐振电阻: | 484(Ω) | |
激励电平: | 8(mW) | |
基准温度: | 8(℃) | |
插入损耗: | 48(dB) | |
阻带衰减: | 4(dB) | |
输入阻抗: | 4(kΩ) | |
输出阻抗: | 44(kΩ) |
CL是晶振的负载电容,晶振在使用时对其负载电容是有要求的,以保证晶振在正确的频率下振荡.32.768KHZ的晶振一般要求负载电容为6pf或12.5pf,在实际应用中需要对电容进行调节使晶振获得正确的振荡频率. 在本文设计的电路中Cl(或C2) 包括两部分的电容,一部分是片外电容。
另一部分使用片内集成的可调节的电容阵列,如图6所示,用四个MOS开关控制可变电容从0 到15pf变化,依次递增1pf.这样就可以直接通过控制字调节晶体负载电容的大小,以使晶体正确振荡在32.768KHZ.
所有电路参数都设置好之后,使用Spectre进行电路仿真,可以得到晶振电路的起振过程及稳态下的波形.从图7(a)中可以清楚的看到晶振电路的起振过程,一般的起振时间需要几百个ms.稳定情况下invl的一端是正弦波,另一端是被放大了的近似方波,需要图1中所示的inv2进行整型得到外形较好的方波并提供足够的驱动能力驱动后面的数字电路.
通过仿真还可以得到流过反相器的电流为1.4uA,晶体的功耗为0.1uW.
所有电路参数都设置好之后,使用Spectre进行电路仿真,可以得到晶振电路的起振过程及稳态下的波形.从图7(a)中可以清楚的看到晶振电路的起振过程,一般的起振时间需要几百个ms.稳定情况下invl的一端是正弦波,另一端是被放大了的近似方波,需要图1中所示的inv2进行整型得到外形较好的方波并提供足够的驱动能力驱动后面的数字电路.通过仿真还可以得到流过反相器的电流为1.4uA,晶体的功耗为0.1uW
高精度、低功耗和小型化,仍然是TCXO的研究课题。在小型化与片式化方面,面临不少困难,其中主要的有两点:一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小,温度补偿更加困难;二是片式封装后在其回流焊接作业中,由于焊接温度远高于TCXO的允许温度,会使晶体振子的频率发生变化,若不采限局部散热降温措施,难以将TCXO的频率变化量控制在±0.5×10-6以下。但是,TCXO的技术水平的提高并没进入到极限,创新的内容和潜力仍较大。