价 格: | 100.00 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | HFA16TA60CPBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | SB肖特基势垒栅 | |
开启电压: | *(V) | |
夹断电压: | *(V) | |
极间电容: | *(pF) | |
低频噪声系数: | *(dB) | |
漏极电流: | *(mA) | |
产品类型: | 其他 |
数据列表 HFA16TA60CPBF
产品相片 TO-220AB PKG
产品目录绘图 Circuit
TO-220AB Front
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 二极管,整流器 - 阵列
系列 HEXFRED®
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)() 1.7V @ 8A
电流 - 在 Vr 时反向漏电 5µA @ 600V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 8A (DC)
电压 - (Vr)() 600V
反向恢复时间(trr) 55ns
二极管型 标准
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io)
二极管配置 1 对共阴极
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
数据列表 NDT3055L 产品相片 SOT-223-4 产品培训模块 High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch 产品目录绘图 MOSFET SOT-223 Pkg 标准包装 2,500类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 100 毫欧 @ 4A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4A Id 时的 Vgs(th)() 2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 345pF @ 25V 功率 - 1.1W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA 供应商设备封装 SOT-223-3 包装 带卷 (TR)
数据列表 AO6601 产品相片 6-TSOP 其它图纸 AO6xxx Series 6-TSOP TopAO6xxx Series 6-TSOP EndAO6xxx Series 6-TSOP Side 标准包装 3,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 阵列 系列 -FET 型 N 和 P 沟道 FET 特点 逻辑电平门 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 3A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.4A, 2.3A Id 时的 Vgs(th)() 1.4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 4.34nC @ 4.5V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 390pF @ 15V 功率 - 1.15W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 6-TSOP 供应商设备封装 6-TSOP 包装 带卷 (TR)