价 格: | 0.10 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | NTD30N02-D | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | S/开关 | |
品牌/商标: | ON/安森美 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
数据列表 NTD30N02 产品相片 TO-263 产品变化通告 Product Discontinuation 31/Mar/2005 标准包装 2,500 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss) 24V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 30A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 14.5 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 20nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1000pF @ 20V 功率 - 值 75W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 供应商器件封装 DPAK-3 包装 带卷 (TR) 其它名称 NTD30N02T4OS
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"数据列表NTD20N03L27产品相片TO-263标准包装2,500类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)20A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)27 毫欧 @ 10A,5V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)18.9nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1260pF @ 25V功率 - 值1.75W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63供应商器件封装DPAK-3包装带卷 (TR)产品目录页面1558 (CN2011-ZH PDF)其它名称NTD20N03L27T4GOSTR 我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。
数据列表BYQ28E(F,B)-100/200, UG(F,B)10BPackaging Information产品相片TO-220-3, TO-220AB标准包装1,000类别分立半导体产品家庭二极管,整流器 - 阵列系列-不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)1.1V @ 5A不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 200V电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)5A电压 - DC 反向 (Vr)(值)200V反向恢复时间 (trr)25ns二极管类型标准速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)二极管配置1 对共阴极安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220AB包装管件我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。