价 格: | 0.10 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | NTD24N06T4 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | S/开关 | |
品牌/商标: | ON/安森美 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
NTD24N06T4
数据列表 | NTD24N06 |
产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 1 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 24A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) | 42 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 48nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1200pF @ 25V |
功率 - 值 | 1.36W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装 | Digi-Reel® |
其它名称 | NTD24N06T4GOSDKR |
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数据列表NTD30N02产品相片TO-263产品变化通告Product Discontinuation 31/Mar/2005标准包装2,500类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)24V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)30A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)14.5 毫欧 @ 30A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)20nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1000pF @ 20V功率 - 值75W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63供应商器件封装DPAK-3包装带卷 (TR)其它名称NTD30N02T4OS 我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 李小姐 0755 - 8276 8796 林小姐传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚及时提供予你市场的价格。"
数据列表NTD20N03L27产品相片TO-263标准包装2,500类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)20A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)27 毫欧 @ 10A,5V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)18.9nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1260pF @ 25V功率 - 值1.75W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63供应商器件封装DPAK-3包装带卷 (TR)产品目录页面1558 (CN2011-ZH PDF)其它名称NTD20N03L27T4GOSTR 我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。