价 格: | 0.25 | |
加工定制: | 否 | |
品牌: | 爱普生晶振 | |
型号: | 爱普生晶振 | |
种类: | 晶振 | |
调整频差: | 89(MHz) | |
温度频差: | 89(MHz) | |
总频差: | 89(MHz) | |
负载电容: | 89(pF) | |
负载谐振电阻: | 89(Ω) | |
激励电平: | 898(mW) | |
基准温度: | 98(℃) | |
插入损耗: | 89(dB) | |
阻带衰减: | 89(dB) | |
输入阻抗: | 89(kΩ) | |
输出阻抗: | 89(kΩ) |
硅机电振荡器,可编程晶振的出现让不少石英晶体生产厂家震撼和恐惧,因为这款可编程的晶体出现会直接威胁到石英晶振生产商的饭碗。但是以千赫石英晶体表晶为主要生产的厂家到不是很担心,因为目前的硅机电晶体替代技术还没法把时钟晶体表晶系列给替代,因此以千赫为主要生产的工厂目前完全不担心。
4月20日,美国初创公司SiTime在北京宣布,推出可代替传统石英振荡器的SiT11xx系列MEMS First振荡器(硅机电振荡器)。SiT11xx系列提供1MHz~125MHz输出频率,适合数玛相机、游戏机、机顶盒、MP3播放器等各类消费电子产品,汽车电子及工业产品应用。SiTime的振荡器在-40℃~85℃温度变化范围内提供50ppm~100ppm的频率精度,而操作电压仅在3.3V、2.5V或1.8V。SiTime目前已经可以提供样片,预计9月量产出货。SiTime公司还宣布和香港先思行有限公司(AV Concept Limited)签定中国大陆及香港地区销售代理权。
2 电路原理分析图1 所示的晶振电路假如满足巴克豪林准则就可以振荡. 从负阻的角度来分析电路的工作原理.提供负阻的电路如图3(a)所示, 由反相放大器和表晶两真个负载电容构成.M1可以替换图1中的invl,忽略沟道长度调制效应、体效应和晶体管的寄生电容. M1的漏电流即是(-I=/C1s)gm ,所因此对于S=jw加, 此阻抗由一个即是-gm/(ClCZw2)的负电阻串连C1 和C2组成(图3(b))如图4 所示, 将表晶和放大器的偏置电阻置于M1 的栅漏两端就构成了前面所述的晶振电路,它可以等效为右边的串连谐振电路, 假如要维持电路振荡,必须保证Zc的实部也就是负阻部分的︱Rosc︱≥Rso其中这就对反相放大器的gm的大小提出了要求. 分析了gm,的极大值和极小值, gm只有取中间值, 得到的等效负阻的尽对值才大于表晶的串联电阻, 才能够维持晶体的振荡.设计反相器时, 对gm的取值应该加以留意. 尤其是对32.768KHZ的晶振, 由于其Rs值很大,gm设置不当很轻易导致晶体不振荡. 在设置了合适的电路参数值的情况下, 使用Matlab画出(3)式中Zc相对于gm的轨迹图,如图5所示,横轴是Zc的实部( 电阻部分),纵轴是Zc的虚部(电容部分). 这里使用晶体Rs值为50kΩ.图中竖线对应实轴上的值为50kΩ,也就是说电路可以振荡时...
振荡器比谐振器多了一个控制电路。晶体谐振器有一些等效参数,不同的使用环境可能会有不同的要求,比如有些使用中对负载电容 C0 / C1 有要求,选用时还要考虑环境温度、负载电容、频率精度甚至 DLD 等要求,这就要求外围振荡电路的参数要加一些控制才能输出稳定的频率。晶体振荡器就避免了这些麻烦,振荡电路已经由生产厂家做好,使用时只需要提供一个稳定的电源供电就可以有稳定输出了。另外振荡器还有一些辅助功能的,比如,压控晶振(VCXO)、温补晶振(TCXO)、恒温晶振(OCXO)等,这些振荡器可以满足直接使用谐振器时难以做到的一些精密控制。像 OCXO 的频率精度可以做到 E-9 量级。其次,晶振是用晶体谐振器作成的,为了在别的部件上面,作为信号载波,或时序。以符合所生产产品的要求。